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本发明涉及高光谱成像技术领域，具体涉及一种高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备，包括以下步骤：底反射层位于CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上；通过反复采用沉积、光刻以及选择性刻蚀工艺在底反射层上形成透明空腔层，透明...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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