半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括：层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板；第一半导体元件，位于上侧导电板与中间导电板之间，分别与上侧导电板和中间导电板电连接；第二半导体元件，位于中间导电板与下侧导电板之间，分别与中间导电板和下侧导电板电连接；以及密封体，密封第一半导体元件以及第二半导体元件，并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部，主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合，露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本说明书公开的技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
在日本特开第2016-36047号公报中公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板；第一半导体元件，位于上侧导电板与中间导电板之间；第二半导体元件，位于中间导电板与下侧导电板之间；以及密封体，密封第一半导体元件以及第二半导体元件，并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。
技术实现思路
在上述半导体装置中，第一半导体元件以及第二半导体元件分别由于通电而发热。如果第一半导体元件以及第二半导体元件发热，则与它们相邻的三个导电板的温度也上升，各个导电板发生热膨胀。尤其，位于第一半导体元件与第二半导体元件之间的中间导电板与上侧导电板以及下侧导电板相比更易于变为高温，存在发生更大的热膨胀的趋势。这样的不均匀的热膨胀可能导致半导体装置内的应变局部地增大，例如可能会使半导体装置的耐久性下降。本说明书提供一种能够在三个以上的导电板层叠而成的半导体装置中抑制中间导电板的温度上升的技术。本说明书所公开的半导体装置具有：层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板；第一半导体元件，位于上侧导电板与中间导电板之间，分别与上侧导电板和中间导电板电连接；第二半导体元件，位于中间导电板与下侧导电板之间，分别与中间导电板和下侧导电板电连接；以及密封体，密封第一半导体元件以及第二半导体元件，并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部，主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合，露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。在上述半导体装置中，中间导电板从密封体的表面露出于外部，因此中间导电板的热量易于向外部释放。由此，能够显著地抑制中间导电板的温度上升。附图说明图1示出了实施例的半导体装置10的外观。图2示出了沿着图1中的II-II线的剖视图。图3示出了沿着图1中的III-III线的剖视图。图4示出了实施例的半导体装置10的电路构造。图5是示意性地示出一个变形例的半导体装置10A的构成的剖视图，与图2所示的剖视图对应。图6是示意性地示出一个变形例的半导体装置10B的构成的剖视图，与图2所示的剖视图对应。图7是示意性地示出一个变形例的半导体装置10C的构成的剖视图，与图2所示的剖视图对应。图8是示意性地示出一个变形例的半导体装置10D的构成的剖视图，与图2所示的剖视图对应。图9是示意性地示出一个变形例的半导体装置10E的构成的剖视图，与图2所示的剖视图对应。具体实施方式在本技术的一个实施方式中，中间导电板的露出部的厚度可以比中间导电板的主体部的厚度大。根据这样的构成，中间导电板的热量更易于向外部释放。在本技术的一个实施方式中，密封体也可以具有上表面和位于与上表面相对侧的下表面。在该情况下，上侧导电板可以在密封体的上表面露出于外部，下侧导电板可以在密封体的下表面露出于外部。根据这样的构成，第一半导体元件以及第二半导体元件的热量易于经由上侧导电板以及下侧导电板向外部释放。在上述实施方式中，密封体也可以具有在上表面与下表面之间延展的侧面。在该情况下，中间导电板的露出部也可以在密封体的侧面露出于外部。根据这样的构成，能够使中间导电板易于露出于密封体的表面。在上述方式之外或替代上述方式，中间导电板的露出部也可以在密封体的上表面和下表面的至少一者处露出于外部。根据这样的构成，例如通过与半导体装置相邻地配置冷却器，能够将中间导电板与上侧导电板和/或下侧导电板同时冷却。以下，参照附图对本专利技术的代表性且非限定性的具体示例详细进行说明。该详细说明仅旨在向本领域技术人员示出用于实施本专利技术的优选示例的详情，并非用于限定本专利技术的范围。此外，以下公开的附加特征和公开可以独立于其他特征、技术使用，也可以一起使用，以提供进一步改善后的半导体装置。此外，以下的详细说明所公开的特征、工序的组合在最宽泛的意思上并非实施本专利技术所必需的，是仅为了特别说明本专利技术的代表性的具体示例而记载的。此外，在提供本专利技术的附加性地且实用的实施方式时，上述以及下述的代表性的具体示例的各种特征、以及独立权利要求和从属权利要求所记载的各种特征并非必须如在此记载的具体示例或者所列举的顺序那样进行组合。记载在本说明书和/或权利要求书的范围内的所有特征的目的在于，在实施例和/或权利要求中记载的特征的构成之外，还作为对本专利技术的原始公开的内容以及要求保护的特定内容的限定而单独且彼此独立地公开的特征。此外，所有数值范围、以及涉及组或群的记载的目的在于，都是作为对本专利技术的原始公开及要求保护的特定内容的限定而公开了其中的构成。[实施例]参照图1-图4，对实施例的半导体装置10进行说明。本实施例的半导体装置10被用作例如电动车辆的电力控制装置，能够构成转换器、逆变器等电力变换电路的一部分。另外，本说明书中的电动车辆宽泛地意指具有驱动车轮的电动机(motor)的车辆，包括例如通过外部的电力充电的电动车辆、除了电动机之外还具有发动机(engine)的混合动力车、以及以燃料电池为电源的燃料电池车等。半导体装置10具备多个半导体元件12、14、多个导电板16、18、20和密封体30。密封体30密封多个半导体元件12、14，并将多个导电板16、18、20一体地保持。密封体30由绝缘性材料构成。本实施例中的密封体30由例如环氧树脂等密封用树脂材料构成，但并不特别限定。密封体30大致具有板状，具有上表面30a、下表面30b、第一端面30c、第二端面30d、第一侧面30e以及第二侧面30f。上表面30a与下表面30b彼此位于相对侧，第一端面30c、第二端面30d、第一侧面30e以及第二侧面30f各自在上表面30a与下表面30b之间延展。并且，第一端面30c与第二端面30d彼此位于相对侧，第一侧面30e与第二侧面30f彼此位于相对侧。多个半导体元件12、14包括第一半导体元件12和第二半导体元件14。第一半导体元件12和第二半导体元件14是功率半导体元件，具有彼此相同的构造。各个半导体元件12、14具备半导体基板12a、14a、第一主电极12b、14b、第二主电极12c、14c以及多个信号电极12d、14d。半导体基板12a、14a可以是硅基板、碳化硅基板或者氮化物半导体基板，但不特别限定。第一主电极12b、14b位于半导体基板12a、14a的表面，第二主电极12c、14c位于半导体基板12a、14a的背面。第一主电极12b、14b与第二主电极12c、14c经由半导体基板12a、14a互相电连接。各个半导体元件12、14是开关元件，能够将第一主电极12b、14b与第二主电极12c、14c之间选择性地导通以及切断，但不特别限定。多个信号电极12d、14d与第一主电极12b、14b相同地位于半导体基板12a、14a的表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板；/n第一半导体元件，位于所述上侧导电板与所述中间导电板之间，分别与所述上侧导电板和所述中间导电板电连接；/n第二半导体元件，位于所述中间导电板与所述下侧导电板之间，分别与所述中间导电板和所述下侧导电板电连接；以及/n密封体，密封所述第一半导体元件以及所述第二半导体元件，并将所述上侧导电板、所述中间导电板以及所述下侧导电板一体地保持，/n所述中间导电板具有主体部和露出部，所述主体部在所述密封体的内部与所述第一半导体元件以及所述第二半导体元件接合，所述露出部从所述密封体的表面露出于外部，/n所述中间导电板的所述露出部的厚度大于等于所述中间导电板的所述主体部的厚度。/n

【技术特征摘要】
20190515 JP 2019-0924481.一种半导体装置，包括：
层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板；
第一半导体元件，位于所述上侧导电板与所述中间导电板之间，分别与所述上侧导电板和所述中间导电板电连接；
第二半导体元件，位于所述中间导电板与所述下侧导电板之间，分别与所述中间导电板和所述下侧导电板电连接；以及
密封体，密封所述第一半导体元件以及所述第二半导体元件，并将所述上侧导电板、所述中间导电板以及所述下侧导电板一体地保持，
所述中间导电板具有主体部和露出部，所述主体部在所述密封体的内部与所述第一半导体元件以及所述第二半导体元件接合，所述露出部从所述密封体的表面露出于外部，
所述中间导电板的所述露出部的厚度大于等于所述中间导电板的所述主体部的厚度。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述中间导电板的所述露出部的厚度大于所述中...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛崇功，门口卓矢，秋野哲也，长村雄也，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP