半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底的膜的衬底面内膜厚均匀性。具有将非同时进行(a)和(b)的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，(a)向处理室内衬底供给原料气体及非活性气体的工序，(b)向处理室内衬底供给反应气体的工序，(a)中从第1供给部向衬底供给在第1罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，从第2供给部向衬底供给在第2罐内积存的原料气体及非活性气体中至少任一者，在第1罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第1罐内的原料气体的浓度与在第2罐内积存有原料气体及非活性气体中至少任一者的状态下的第2罐内的原料气体的浓度不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行下述工序：通过交替向衬底供给原料气体和反应气体，从而在衬底上形成例如氮化膜等膜(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-225655号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提供能够提高在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚均匀性的技术。用于解决课题的方案本专利技术的一方案提供下述技术：具有通过将非同时地进行(a)和(b)的循环进行规定次数而在上述衬底上形成膜的工序，其中，(a)为向处理室内的衬底供给原料气体及非活性气体的工序；以及(b)为向上述处理室内的上述衬底供给反应气体的工序，在(a)中，从第1供给部向上述衬底供给在第1罐内积存的上述原料气体及上述非活性气体中的至少任一者，并从与上述第1供给部不同的第2供给部向上述衬底供给在与上述第1罐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，其具有通过将非同时地进行(a)和(b)的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，/n(a)为向处理室内的衬底供给原料气体及非活性气体的工序，/n(b)为向所述处理室内的所述衬底供给反应气体的工序，/n在(a)中，从第1供给部向所述衬底供给在第1罐内积存的所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者，并从与所述第1供给部不同的第2供给部向所述衬底供给在与所述第1罐不同的第2罐内积存的所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者，/n使在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的浓度与在所述第2罐内积存有所述原料气体及所...

【技术特征摘要】
20190517 JP 2019-0937611.半导体器件的制造方法，其具有通过将非同时地进行(a)和(b)的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，
(a)为向处理室内的衬底供给原料气体及非活性气体的工序，
(b)为向所述处理室内的所述衬底供给反应气体的工序，
在(a)中，从第1供给部向所述衬底供给在第1罐内积存的所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者，并从与所述第1供给部不同的第2供给部向所述衬底供给在与所述第1罐不同的第2罐内积存的所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者，
使在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的浓度与在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述原料气体的浓度不同。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的浓度高于在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述原料气体的浓度。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述非活性气体的浓度高于在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述非活性气体的浓度。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的浓度高于所述第1罐内的所述非活性气体的浓度，
使在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述非活性气体的浓度高于所述第2罐内的所述原料气体的浓度。


5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，将在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的浓度设为100％，
将在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述非活性气体的浓度设为100％。


6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的量比在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述原料气体的量多。


7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述非活性气体的量比在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述非活性气体的量多。


8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第1罐内的所述原料气体的量比所述第1罐内的所述非活性气体的量多，
使在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下的所述第2罐内的所述非活性气体的量比所述第2罐内的所述原料气体的量多。


9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在所述第1罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下，使所述原料气体单独存在于所述第1罐内，
在所述第2罐内积存有所述原料气体及所述非活性气体中的至少任一者的状态下，使所述非活性气体单独存在于所述第2罐内。


10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在俯视观察时，连结所述衬底的中心和所述第1供给部的第1直线与连结所述衬底的中心和所述第2供给部的第2直线所形成的中心角为锐角，
至少在(a)中，使所述衬底以下述方式旋转：所述衬底的边缘部的规定部位在俯视观察时从连结所述第1供给...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅井优幸，今村友纪，奥田和幸，井之口泰启，水野谦和，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP