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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底的膜的衬底面内膜厚均匀性。具有将非同时进行(a)和(b)的循环进行规定次数而在衬底上形成膜的工序，(a)向处理室内衬底供给原料气体及非活性气体的工序，(b)向处理室内衬底...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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