稀土钴永磁体、其制备方法以及装置制造方法及图纸

根据本公开的稀土钴永磁体包含：24质量％至26质量％的包含Sm的稀土元素R；25质量％至27质量％的Fe；4.0质量％至7.0质量％的Cu；2.0质量％至3.5质量％的Zr；以及作为剩余部分的Co和不可避免的杂质。稀土元素R是Sm和Nd的组合，Sm和Pr的组合，或Sm、Nd和Pr的组合中的任一种。稀土钴永磁体包含含有Th

【技术实现步骤摘要】
稀土钴永磁体、其制备方法以及装置
本公开涉及稀土钴永磁体、稀土钴永磁体的制备方法以及装置。
技术介绍
从例如改善稀土钴永磁体的磁特性的各种观点来看，一些已知的稀土钴永磁体包含例如Fe、Cu、Zr等。日本未经审查的专利申请公开第2005-243884号公开了一种涉及具有TbCu7结构的稀土钴永磁体的技术。日本未经审查的专利申请公开第2015-111675号公开了一种涉及具有高铁浓度组成的Sm-Co磁体的技术。
技术实现思路
稀土钴永磁体的磁力随温度变化不大，并且它们是抗生锈的。因此，稀土钴永磁体广泛用于各种装置中。从进一步提高这种装置的性能的观点出发，需要具有甚至更优的磁特性(特别是高矩形比)的稀土钴永磁体。为了解决上述问题，本公开旨在提供具有优异的磁特性的稀土钴永磁体、制备这种稀土钴永磁体的方法以及包括这种稀土钴永磁体的装置。根据本公开的一个方面的稀土钴永磁体包含：24质量％至26质量％的含有Sm的稀土元素R；25质量％至27质量％的Fe；4.0质量％至7.0质量％的Cu；2.0质量％至3.5质量％的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稀土钴永磁体，其包含：/n24质量％至26质量％的包含Sm的稀土元素R；/n25质量％至27质量％的Fe；/n4.0质量％至7.0质量％的Cu；/n2.0质量％至3.5质量％的Zr；和/n作为剩余部分的Co和不可避免的杂质，其中/nR为Sm和Nd的组合(其中0＜Nd≤25质量％，剩余部分为Sm)，Sm和Pr的组合(其中0＜Pr≤25质量％，剩余部分为Sm)，或Sm、Nd和Pr的组合(其中0＜Nd+Pr≤25质量％，剩余部分为Sm)中的任一种，/n所述稀土钴永磁体包含含有Th

【技术特征摘要】
20190515 JP 2019-0919661.一种稀土钴永磁体，其包含：
24质量％至26质量％的包含Sm的稀土元素R；
25质量％至27质量％的Fe；
4.0质量％至7.0质量％的Cu；
2.0质量％至3.5质量％的Zr；和
作为剩余部分的Co和不可避免的杂质，其中
R为Sm和Nd的组合(其中0＜Nd≤25质量％，剩余部分为Sm)，Sm和Pr的组合(其中0＜Pr≤25质量％，剩余部分为Sm)，或Sm、Nd和Pr的组合(其中0＜Nd+Pr≤25质量％，剩余部分为Sm)中的任一种，
所述稀土钴永磁体包含含有Th2Zn17结构的晶相的晶胞相和包围所述晶胞相的含有RCo5结构的晶相的晶胞壁，和
晶胞壁中R的浓度比晶胞相中R的浓度高不少于25原子％。


2.根据权利要求1所述的稀土钴永磁体，其中，
Cu为4.2质量％至4.7质量％，和
Zr为2.1质量％至2.5质量％。


3.根据权利要求1或2所述的稀土钴永磁体，其中所述稀土钴永磁体的密度为8.20g/cm3至8.45g/cm3。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的稀土钴永磁体，其中所述稀土钴永磁体的密度为8.25g/cm3至8.40g/cm3。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的稀土钴永磁体，其中，在所述稀土钴永磁体中，Sm以及Nd和Pr中的至少一种在从晶胞相到晶胞壁的组成变化方面显示出相似的趋势。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的稀土钴永磁体，其中当对所述稀土钴永磁体施加反向磁场时，在晶界中出现的反向磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹泽昌晃，町田浩明，藤原照彦，金森悠，
申请(专利权)人：国立大学法人九州工业大学，株式会社东金，
类型：发明
国别省市：日本;JP