一种晶圆高温测试针痕控制的方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆高温测试针痕控制的方法，包括以下步骤：S1、校准系统；S2、载入系统；S3、延迟系统；S4、数据收集；S5、数据检测；S6、预热处理；S7、系统测试；本发明专利技术通过监测后获取的时间数据为在等温的条件下随着温度的不断升高晶圆的厚度缓慢增高，同时探针在预热处理后一直因热传导的效果使得探针在相同下压状态情况下晶圆针痕在预热处理的五十秒后处于均衡状态，因此控制好预热处理温度的时长即可实现对同等情况下的均衡下压针痕的效果，通过管控好预热处理的温度控制时间即可有效的降低用户操控探头下压深度操作的便捷性进而有力的提升了用户对晶圆高温测试过程中的针痕管控效果从而有效的弥补了现有技术中的不足。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆高温测试针痕控制的方法
本专利技术涉及晶圆高温测试控制
，特别是涉及一种晶圆高温测试针痕控制的方法。
技术介绍
晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针，与晶粒上的接点接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当晶片依晶粒为单位切割成独立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被洮汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本，在晶圆制造完成之后，晶圆测试是一步非常重要的测试，这步测试是晶圆生产过程的成绩单，在测试过程中，每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到，晶圆测试也就是芯片测试或晶圆电测，在测试时，晶圆被固定在真空吸力的卡盘上，并与很薄的探针电测器对准，同时探针与芯片的每一个焊接垫相接触，电测器在电源的驱动下测试电路并记录下结果，测试的数量、顺序和类型由计算机程序控制，测试机是自动化的，所以在探针电测器与第一片晶圆对准后(人工对准或使用自动视觉系统)的测试工作无须操作员的辅助，但现有技术中在对晶圆高温测试过程中很难把控好探针下压针痕受温度影响而管控预热处理的管控效果，在实际的控制操作方法上还存在一定的不足，例如：现有的检测管控方法无法准确获取预热处理时探针下压深度影响的确切精度，从而使得预热处理后用户在实际操控时很难把控好处理时间，因此在对后续的下压深度操作会产生巨大的影响。
技术实现思路
为实现上述目的，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种晶圆高温测试针痕控制的方法，包括以下步骤：S1、校准系统：将测试机连接的自动化测试实施校准，并调整测试时间与测试温度同时校准对位；S2、载入系统：将待测晶圆通过透明玻璃板载入载片台，同时通过红外定位传感器对待测晶圆实施对位检测；S3、延迟系统：将测试机检测待测晶圆的测试时间实施延迟三十秒；S4、数据收集：对延迟后进行检测的待测晶圆的时间数据实施采集，并记录采集的时间的间隔，且时间的间隔为每三秒一次；S5、数据检测：对收集到的时间数据分隔时间段实施检测，对存在间隔时间误差的数据分为一类，并对校准时间内的数据分为一类；S6、预热处理：对数据收集后的晶圆在收集完毕后通过晶轴流的温度传导对探针进行预热并持续五十秒；S7、系统测试：对待测晶圆进行测试并通过温度传感器全程监测待测晶圆的测试温度。其中，所述校准系统内的测试时间和测试温度为同步校准。其中，所述载入系统内的载片台内置有加热系统，加热系统与测试机电信号连接。其中，所述延迟系统内的三十秒延迟时间为每五秒延迟一次。其中，所述数据收集内的时间数据采集和对晶圆测试时间数据实施同步收集。其中，所述数据检测内的分隔时间段为每二十秒一次。其中，所述预热处理内的预热五十秒为恒温预热处理。其中，所述系统测试内的探针台数据检测完毕后再次回归校准系统依次进行。以上方案通过监测后获取的时间数据为在等温的条件下随着温度的不断升高晶圆的厚度缓慢增高，同时探针在预热处理后一直因热传导的效果使得探针在相同下压状态情况下晶圆针痕在预热处理的五十秒后处于均衡状态，因此控制好预热处理温度的时长即可实现对同等情况下的均衡下压针痕的效果，通过管控好预热处理的温度控制时间即可有效的降低用户操控探头下压深度操作的便捷性进而有力的提升了用户对晶圆高温测试过程中的针痕管控效果从而有效的弥补了现有技术中的不足。附图说明图1为本专利技术系统流程图。具体实施方式在下文中，将参考本专利技术的各种实施方式。然而，实施方式可以按各种形式实施，而不应被认为限制于本文中提及的结实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使得本专利技术向本领域技术人员完整地传达本专利技术的保护范围。另外，为了避免混淆本公开的主题，可能没有详细描述或示出己知的功能或结构。本实施例中根据图1，包括以下步骤：S1、校准系统：将测试机连接的自动化测试实施校准以实现高温测试前各项数据满足基准测试数据，从而对测试完毕的数据提取数据差值以便计算测试数据的准确度，并调整测试时间与测试温度同时校准对位，对测试时间和测试温度实施校准定位，保证待测晶圆测试时获取足够高的测试位置精度，次过程对待测晶圆的测试结果具有极高的影响价值，因此在后续测试过程中，S1校准系统为首要校准操作，所述校准系统内的测试时间和测试温度为同步校准，以保证校准的实效同步生效；S2、载入系统：将待测晶圆通过透明玻璃板载入载片台，此时通过机械手定点转移输送，同时通过红外定位传感器对待测晶圆实施对位检测，通过红外定位传感器能够更进一步保证待测晶圆的测试位置精度，所述载入系统内的载片台内置有加热系统，加热系统与测试机电信号连接，通过加热系统的启动能够对探头和待测晶圆上实施同步温度管控的效果，从而避免因温差导致的探头偏位的情况；S3、延迟系统：将测试机检测待测晶圆的测试时间实施延迟三十秒，所述延迟系统内的三十秒延迟时间为每五秒延迟一次，通过每五秒延迟一次能够大大降低测试误差从而保证测试结果的精确性；S4、数据收集：对延迟后进行检测的待测晶圆的时间数据实施采集，并记录采集的时间的间隔，且时间的间隔为每三秒一次，通过间隔时间采集保证各测试时间获取量化以便检测结果的计算精度更为精确，所述数据收集内的时间数据采集和对晶圆测试时间数据实施同步收集，通过同步收集能够保持时间线一致的情况下对温控实施整合集中；S5、数据检测：对收集到的时间数据分隔时间段实施检测，对存在间隔时间误差的数据分为一类，并对校准时间内的数据分为一类，所述数据检测内的分隔时间段为每二十秒一次，通过归类实现双重测试以获取最大限度的测试结果的精确性；S6、预热处理：对数据收集后的晶圆在收集完毕后通过晶轴流的温度传导对探针进行预热并持续五十秒，所述预热处理内的预热五十秒为恒温预热处理，通过恒温预热能够避免因温差在短时间内过大导致了形变情况；S7、系统测试：对待测晶圆进行测试并通过温度传感器全程监测待测晶圆的测试温度，所述系统测试内的探针台数据检测完毕后再次回归校准系统依次进行，通过监测后获取的时间数据为在等温的条件下随着温度的不断升高晶圆的厚度缓慢增高，同时探针在预热处理后一直因热传导的效果使得探针在相同下压状态情况下晶圆针痕在预热处理的五十秒后处于均衡状态，因此控制好预热处理温度的时长即可实现对同等情况下的均衡下压针痕的效果。在本专利技术所提供的几个实施方式中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施方式仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆高温测试针痕控制的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、校准系统：将测试机连接的自动化测试实施校准，并调整测试时间与测试温度同时校准对位；/nS2、载入系统：将待测晶圆通过透明玻璃板载入载片台，同时通过红外定位传感器对待测晶圆实施对位检测；/nS3、延迟系统：将测试机检测待测晶圆的测试时间实施延迟三十秒；/nS4、数据收集：对延迟后进行检测的待测晶圆的时间数据实施采集，并记录采集的时间的间隔，且时间的间隔为每三秒一次；/nS5、数据检测：对收集到的时间数据分隔时间段实施检测，对存在间隔时间误差的数据分为一类，并对校准时间内的数据分为一类；/nS6、预热处理：对数据收集后的晶圆在收集完毕后通过晶轴流的温度传导对探针进行预热并持续五十秒；/nS7、系统测试：对待测晶圆进行测试并通过温度传感器全程监测待测晶圆的测试温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆高温测试针痕控制的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、校准系统：将测试机连接的自动化测试实施校准，并调整测试时间与测试温度同时校准对位；
S2、载入系统：将待测晶圆通过透明玻璃板载入载片台，同时通过红外定位传感器对待测晶圆实施对位检测；
S3、延迟系统：将测试机检测待测晶圆的测试时间实施延迟三十秒；
S4、数据收集：对延迟后进行检测的待测晶圆的时间数据实施采集，并记录采集的时间的间隔，且时间的间隔为每三秒一次；
S5、数据检测：对收集到的时间数据分隔时间段实施检测，对存在间隔时间误差的数据分为一类，并对校准时间内的数据分为一类；
S6、预热处理：对数据收集后的晶圆在收集完毕后通过晶轴流的温度传导对探针进行预热并持续五十秒；
S7、系统测试：对待测晶圆进行测试并通过温度传感器全程监测待测晶圆的测试温度。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆高温测试针痕控制的方法，其特征在于，所述校准系统内的测试时间和测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锦光，
申请(专利权)人：广东全芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44