【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术涉及用于MRI(磁共振成像)装置的磁场变化测量方法和磁场变化补偿方法以及MRI装置，更具体地说，涉及用于测量MRI装置的静态磁场的磁场变化测量方法，MRI装置的静态磁场的磁场变化补偿方法，以及能够实现这样的方法的MRI装置。MRI装置的静态磁场应该是不变的，但是当金属体(例如汽车)，接近MRI装置或者环境改变(例如，温度变化)时，静态磁场可能产生不希望有的变化。已往，处理静态磁场的这种变化的措施集中在抑制变化的起因上，例如通过将MRI装置磁屏蔽或者对安装有MRI装置的房间进行空调。然而，即使在采取这些措施之后仍有时会发生静态磁场的变化，在这种情况下，出现图像质量被不希望地劣化的问题。专利技术摘要因此本专利技术的第一个目的是提供一种可以测量MRI装置的静态磁场的变化的磁场变化测量方法。此外，本专利技术的第二目的是提供一种可以补偿MRI装置的静态磁场的变化的磁场变化补偿方法。此外，本专利技术的第三目的是提供可以适当地实现磁场变化测量方法以及磁场变化补偿方法的MRI装置。根据本专利技术的第一方面提供的磁场变化测量方法，其特征在于在MRI装置的图像区域附近...
【技术保护点】
一种磁场变化测量方法，所述方法包括以下步骤：在ＭＲＩ装置的图像区域附近配置Ｉ个（其中Ｉ≥１）ＲＦ探针，每个探针具有能够发射ＦＩＤ（无感应衰减）信号的小幻象电路和小线圈的组合；当测量参考磁场时，从所述ＲＦ探针发送ＲＦ脉冲并接收ＦＩＤ信 号以便从所述ＦＩＤ信号确定参考频率ｆ↓［ｉｒ］（其中ｉ＝１－Ｉ）；当测量磁场变化时，从所述ＲＦ探针发送ＲＦ脉冲并接收ＦＩＤ信号以便从所述ＦＩＤ信号确定频率ｆ↓［ｉ］；以及通过求解下列方程式确定第ｊ阶磁场变化α↓［ｊ］：ｆ↓［ｉ］ －ｆ↓［ｉｒ］＝＊α↓［ｊ］.ｒ↓［ｉ］↑［ｊ］，其中各个ＲＦ探针的位置用ｒ↓［ｉ］表示。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：后藤隆男，
申请(专利权)人：GE医疗系统环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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