【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及控制静态磁场的方法和MRI(磁共振成像)装置。更具体地说,本专利技术涉及用于控制静态磁场均匀性的静态磁场调整方法和适当地完成所述静态磁场调整方法的MRI装置。MRI装置500是在垂直方向上产生静态磁场Bo的开放型MRI装置。静态磁场生成器磁体由相对设置在顶部和底部的永磁体1M1和1M2、基座磁轭YB、柱状磁轭Yp和致偏器Sp1构成。永磁体1M1和1M2和基座磁轭YB中可以插入用于静态磁场调整的磁性材料的螺杆51。螺杆51的螺纹数可以实现成像区KK中静态磁场Bo的均匀性的调整。在如上所述的MRI装置500中,存在的首要问题是在调整螺杆51的螺纹数之后,永磁体1M1和1M2和基座磁轭YB和致偏器Sp1可能易受温度变化的影响。例如,当采用Nd-Fe-B材料作为永磁体1M1和1M2时,该材料具有约为-0.1%/℃的温度特性,如果在调整螺杆51的螺纹数之后,永磁体1M1和1M2中任何一个的温度上升得高于另一磁体,则会在静态磁场方向(Z轴方向)上出现相当规模的某种静态磁场不一致性,这是不容忽视的,但是系统无法解决它。在诸如可以调整螺杆51的螺纹数的MRI装 ...
【技术保护点】
一种磁共振成像(MRI)装置,它包括: 温度调节器装置,用于调节静态磁场生成器磁体的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个的局部温度; 其中所述装置调节所述局部温度来控制所述静态磁场的均匀性。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:后藤隆男,星野和哉,井上勇二,佐久间正章,
申请(专利权)人:GE医疗系统环球技术有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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