【技术实现步骤摘要】
清洁液循环利用的清洗系统及方法
本专利技术实施例涉及清洗
,特别涉及一种清洁液循环利用的清洗系统及方法。
技术介绍
在半导体晶片制造过程中,半导体晶片表面会附着各种有机化合物、金属杂质和微粒等,而半导体晶片表面的清洁度是影响半导体晶片可靠性的重要因素之一,如果不对其清洗会大大降低半导体晶片的性能和合格率,所以在半导体晶片制造过程中,有20%的步骤为对半导体晶片的清洗,去除依附于半导体晶片表面上的有机化合物、金属杂质和微粒等污染物,提高半导体器件的性能和合格率。现有技术中通常利用单晶片清洗台,并使用SPM清洁溶液对半导体晶片执行湿法刻蚀,SPM清洁溶液包括硫酸和双氧水,其能够去除半导体晶片上的光刻胶残留物。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种清洁液循环利用的清洗系统及方法,其能够循环利用清洁液,降低清洗成本。为解决上述技术问题,本专利技术的实施方式提供了一种清洁液循环利用的清洗系统,包括:用于放置清洗物的清洁腔室,与所述清洁腔室连通的废液循环处理装置,分别与所述清洁腔室及所述废液循环处理装置连通的清洁液配置装置;所述废液循环处理装置用于回收所述清洁腔室中流出的废液、并将所述废液加工成满足预设要求的待配置清洁液;所述清洁液配置装置用于将所述待配置清洁液配置成待使用清洁液;所述清洁腔室用于使用所述待使用清洁液以清洗待清洗物。本专利技术的实施方式还提供了一种清洁液循环利用的清洗方法,包括:获取清洗过待清洗物的废液;将所述废液加工成满足预设要求的 ...
【技术保护点】
1.一种清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,包括:用于放置清洗物的清洁腔室,与所述清洁腔室连通的废液循环处理装置,分别与所述清洁腔室及所述废液循环处理装置连通的清洁液配置装置;/n所述废液循环处理装置用于回收所述清洁腔室中流出的废液、并将所述废液加工成满足预设要求的待配置清洁液;/n所述清洁液配置装置用于将所述待配置清洁液配置成待使用清洁液;/n所述清洁腔室用于使用所述待使用清洁液以清洗待清洗物。/n
【技术特征摘要】
1.一种清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,包括:用于放置清洗物的清洁腔室,与所述清洁腔室连通的废液循环处理装置,分别与所述清洁腔室及所述废液循环处理装置连通的清洁液配置装置;
所述废液循环处理装置用于回收所述清洁腔室中流出的废液、并将所述废液加工成满足预设要求的待配置清洁液;
所述清洁液配置装置用于将所述待配置清洁液配置成待使用清洁液;
所述清洁腔室用于使用所述待使用清洁液以清洗待清洗物。
2.根据权利要求1所述的清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,还包括中央控制装置,所述中央控制装置分别与所述清洁腔室、所述废液循环处理装置、所述清洁液配置装置通信连接,用于控制所述清洁腔室、所述废液循环处理装置以及所述清洁液配置装置。
3.根据权利要求2所述的清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,所述废液循环处理装置包括依次连通的废液收集单元、水分去除单元、第一杂质过滤单元、温控单元以及待配置清洁液收集单元,所述废液收集单元用于收集所述清洁腔室中流出的废液,所述水分去除单元用于去除所述废液中的水分,所述第一杂质过滤单元用于过滤去除水分后的废液中的杂质,所述温控单元用于将去除杂质后的废液加热至第一预设温度,所述待配置清洁液收集单元用于收集所述待配置清洁液。
4.根据权利要求3所述的清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,所述水分去除单元中设有加热元件,所述加热元件加热所述废液以蒸发去除所述废液中的水分。
5.根据权利要求3所述的清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,所述废液收集单元与所述水分去除单元之间设有抽液泵,所述抽液泵用于将所述废液收集单元中的废液抽出并输送至所述水分去除单元中。
6.根据权利要求5所述的清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,还包括可连通的设置在所述第一杂质过滤单元与所述温控单元之间的储备单元,所述储备单元用于存储去除杂质后的废液。
7.根据权利要求6所述的清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,还包括设置在所述第一杂质过滤单元与所述储备单元管路上的第一三通阀,所述第一三通阀用于将所述第一杂质过滤单元与所述废液收集单元或所述储备单元连通,所述第一三通阀内设有与所述中央控制装置通信连接的检测器,所述检测器用于检测去除杂质后的废液是否满足预设净化标准,所述中央控制装置在所述检测器检测到废液不满足预设净化标准时控制所述第一三通阀连通所述第一杂质过滤单元与所述废液收集单元、在所述检测器感应到废液满足预设净化标准时控制所述第一三通阀连通所述第一杂质过滤单元与所述储备单元。
8.根据权利要求3所述的清洁液循环利用的清洗系统,其特征在于,所述清洁腔室与所述废液收集单元的管路上设有第二三通阀,所述第二三通阀与所述中央控制装置通信连接,所述中央控制装置控制所述第二三通阀将所述清洗腔室在预设时间段内流出的废液直接排出、在预设时间段外流出的...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡自立,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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