接合体和弹性波元件制造技术

提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合体和弹性波元件
本专利技术涉及压电性单晶基板与支撑基板的接合体、以及利用该接合体的弹性波元件。
技术介绍
已知移动电话等中所使用的能够作为滤波元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：FilmBulkAcousticResonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小变化，抑制作为弹性表面波器件的频率特性的变化。在专利文献1中提出了具备用包含环氧粘接剂的粘接层将压电性单晶基板与硅基板贴合而成的结构的弹性表面波器件。在将压电基板与硅基板接合时，已知在压电基板表面形成氧化硅膜，经由氧化硅膜将压电基板与硅基板直接接合。该接合时，对氧化硅膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接接合(专利文献2)。另外，已知所谓的FAB(快原子束，FastAtomBeam)方式的直接接合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合体，其特征在于，所述接合体具备：/n支撑基板，所述支撑基板由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；/n压电性单晶基板；以及/n接合层，所述接合层设置在所述支撑基板与所述压电性单晶基板之间，/n所述接合层具有Si

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-0639411.一种接合体，其特征在于，所述接合体具备：
支撑基板，所述支撑基板由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；
压电性单晶基板；以及
接合层，所述接合层设置在所述支撑基板与所述压电性单晶基板之间，
所述接合层具有Si(1-x)Ox的组成，其中，x为氧比率，所述接合层的厚度方向的中央部处的所述氧比率x高于：所述接合层的所述压电性单晶基板侧的端部处的氧比率x以及所述接合层的所述支撑基板侧的端部处的所述氧比率x，所述接合层的厚度方向的所述中央部处的所述氧比率x为0.013以上0.666以下。


2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，
所述支撑基板与所述接合层的所述界面为直接接合的界面，所述接合层的所述支撑基板侧的所述端部处的所述氧比率...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤万佐司，鹈野雄大，多井知义，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP