表面弹性波器件及其制造方法技术

一种表面弹性波器件及其制造方法，先在第一梳状电极的共同电极以及电极指的各侧面形成第一绝缘膜。在由第一绝缘膜与压电衬底的第一梳状电极形成面所形成的凹部中，填充第二梳状电极的电极指。第一梳状电极、第一绝缘膜、以及第二梳状电极的与压电衬底为相反侧的面形成为平坦面。在平坦面上形成第二绝缘膜。藉由所述制造方法可提供一种能够使用较便宜的制造装置形成可应对更高频率的梳状电极构造的表面弹性波器件。

【技术实现步骤摘要】
表面弹性波器件及其制造方法
本专利技术涉及一种高频用的表面弹性波器件及其制造方法。
技术介绍
如图9、图10所示，表面弹性波器件是在由压电体材料形成的衬底30的表面形成IDT电极31而构成。IDT(InterdigitalTransducer，叉指换能器)电极31包含成对的梳状电极32与33。所述梳状电极32与33通过使一个梳状电极32的电极指32a与32a之间具有另一个梳状电极33的电极指33a的方式而配置。在以往的表面弹性波器件中，例如日本专利特开2015-126481号公报所记载，在衬底30上形成铝等金属薄膜之后，通过光刻及蚀刻等而同时形成梳状电极32与33。以往，使用曝光光束的波长为365nm的i线步进机作为光刻用的曝光装置。在IDT电极31的表面，形成覆盖IDT电极31的包含二氧化硅等的保护用绝缘膜34。在图9、图10所示的表面弹性波器件中，梳状电极32与33的电极指32a与33a的宽度L形成为和电极指32a与33a的间隔S相等(L＝S)。梳状电极32与33的电极指32a与33a的电极周期P是电极指32a与33a的各中心线之间的间隔。另外，在将表面弹性波的波长设为λ，且衬底30的表面弹性波的波速设为V时，共振频率F由F＝V/λ定义。因此，共振频率F是由电极周期P(＝λ/2)决定。例如在想获得2GHz(2×109Hz)作为共振频率F的情况下，假定衬底30的波速V＝4000m/s(＝4×109μm)，那么λ＝V/F＝4×109μm/s/2×109Hz＝2μm。另外，如图9所示，电极周期P＝λ/2＝1μm。另外，电极指32a与33a之间的间隔S与电极指32a、33a的宽度L相等，因此电极指的宽度L＝间隔S＝0.4μm。梳状电极32与33的电极指32a与33a的宽度L与两者间的间隔S能够形成的最细图案与曝光光束的波长相等。由此，因为用于i线步进机的曝光光束的波长为365nm，所以在由该曝光装置形成电极指等的配线的情况下，配线的宽度或配线彼此的距离仅可微细地形成为的程度。因此，电极周期P的最小极限为P＝S+L＝0.8μm。与该电极周期的最小极限值相当的共振频率F为共振频率F＝V/2P＝4×109μm/s/2×0.8μm＝2.5GHz。因此，为了实现在超出2.5GHz的例如3GHz等高频下使用的表面弹性波器件，故需要使用采用了波长为248nm的KrF、或波长为193nm的ArF的曝光装置。然而，这些曝光装置的价格高，所以导致制造费的负担增加。因此，为了避免此种制造装置的高额化，考虑代替表面弹性波器件而使用体声波(BAW，BulkAcousticWave)滤波器。然而，BAW滤波器本身的制造费也高，所以仍无法避免制造费的高额化。
技术实现思路
本专利技术是鉴于所述问题点，其目的在于提供一种能够使用以往使用的较便宜的制造装置来形成可应对更高频率的梳状电极的构造的表面弹性波器件及其制造方法。本专利技术的表面弹性波器件包含：压电衬底；第一梳状电极，形成在所述压电衬底上；第二梳状电极，设置在所述第一梳状电极之间；第一绝缘膜，形成在所述第一梳状电极的共同电极、所述第二梳状电极的侧面、以及所述第一梳状电极的电极指的侧面间；所述第二梳状电极，具有填充在由所述第一绝缘膜与所述压电衬底的梳状电极形成面所形成的凹部中的电极指；平坦面，形成在所述第一梳状电极、所述第一绝缘膜及所述第二梳状电极相反于所述压电衬底的一侧；以及第二绝缘膜，形成在所述平坦面。本专利技术的表面弹性波器件，所述第一绝缘膜的宽度相比于所述第一梳状电极的电极指的宽度以及所述第二梳状电极的电极指的宽度为窄幅，所述第二梳状电极的电极指的宽度不大于所述第一梳状电极的电极指的宽度。本专利技术的表面弹性波器件，所述第一梳状电极的相邻的电极指间的间隔形成为与所述第一梳状电极的电极指的宽度相等。本专利技术的表面弹性波器件，所述第一梳状电极与所述第二梳状电极是由不同种类的金属形成。本专利技术的表面弹性波器件，所述第一梳状电极是由铝或铝合金形成，所述第二梳状电极是由铜形成。本专利技术的表面弹性波器件，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜是由不同的绝缘材料形成。本专利技术的表面弹性波器件，所述第一绝缘膜是由氮化硅形成，所述第二绝缘膜是由二氧化硅形成。本专利技术的表面弹性波器件的制造方法，包括以下步骤：在压电衬底上形成第一梳状电极；在具有所述第一梳状电极的压电衬底上，将绝缘膜覆盖于所述第一梳状电极的至少电极指形成区域的表面以及所述第一梳状电极的电极指间的区域；通过对所述绝缘膜实施各向异性干式蚀刻，而使覆盖于所述第一梳状电极的共同电极的侧面、以及所述第一梳状电极的电极指的侧面的部分的绝缘膜保留，且由保留的部分的绝缘膜形成第一绝缘膜；至少在所述第一梳状电极的电极指的表面、所述第一绝缘膜的表面、所述第一绝缘膜之间的经所述各向异性干式蚀刻而露出的压电衬底的表面上形成金属膜；通过研磨而去除所述金属膜的表面，直至所述第一梳状电极与所述第一绝缘膜露出，而在所述压电衬底上形成第二梳状电极，所述第二梳状电极的电极指填充在由所述第一绝缘膜与所述压电衬底的梳状电极形成面所形成的凹部中；以及在经研磨后，由所述第一梳状电极、第二梳状电极及所述第一绝缘膜相反于该压电衬底的一侧共同配合界定出的平坦面上形成第二绝缘膜。本专利技术的表面弹性波器件的制造方法，所述第一梳状电极与所述第二梳状电极是由不同种类的金属形成。本专利技术的表面弹性波器件的制造方法，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜是由不同的绝缘材料形成。本专利技术的有益效果在于：由于第一绝缘膜与第二梳状电极的电极指可不受曝光装置的分辨极限的限制，比分辨极限更微细地形成第一绝缘膜与第二梳状电极。因此，能够提供一种使用例如用了i线步进机等曝光装置的较便宜的制造装置而可应对更高频率的表面弹性波器件。附图说明图1为表示本专利技术的表面弹性波器件的一实施例的梳状电极的配置构造的俯视图。图2为具备图1的梳状电极的表面弹性波器件的剖视图。图3为图1、图2所示的表面弹性波器件的制造步骤图。图4为表示本专利技术的表面弹性波器件的另一实施例的梳状电极的配置构造的俯视图。图5为具备图4的梳状电极的表面弹性波器件的剖视图。图6为表示本专利技术的表面弹性波器件的另一实施例的剖视图。图7为进一步表示本专利技术的表面弹性波器件的另一实施例的剖视图。图8为进一步表示本专利技术的表面弹性波器件的另一实施例的剖视图。图9为表示以往的表面弹性波器件的梳状电极的配置构造的俯视图。图10为具有图9的梳状电极的配置构造的表面弹性波器件的剖视图。具体实施方式图1是表示本专利技术的表面弹性波器件的一实施例的梳状电极的配置构造的俯视图，图2是该表面弹性波器件的剖视图。该表面弹性波器件具备压电衬底1、以及形成在压电衬底1的表面的IDT电极2，IDT电极2具备成对的第一梳状电极3与第二梳状电极4。第一梳状电极3具备输入端口3a和输入端口3a的共同电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面弹性波器件，其特征在于：所述表面弹性波器件包含：/n压电衬底；/n第一梳状电极，形成在所述压电衬底上；/n第二梳状电极，设置在所述第一梳状电极之间；/n第一绝缘膜，形成在所述第一梳状电极的共同电极、所述第二梳状电极的侧面、以及所述第一梳状电极的电极指的侧面间，所述第二梳状电极具有填充在由所述第一绝缘膜与所述压电衬底的梳状电极形成面所形成的凹部中的电极指；/n平坦面，形成在所述第一梳状电极、所述第一绝缘膜及所述第二梳状电极相反于所述压电衬底的一侧；及/n第二绝缘膜，形成在所述平坦面。/n

【技术特征摘要】
20190405 JP 2019-0726561.一种表面弹性波器件，其特征在于：所述表面弹性波器件包含：
压电衬底；
第一梳状电极，形成在所述压电衬底上；
第二梳状电极，设置在所述第一梳状电极之间；
第一绝缘膜，形成在所述第一梳状电极的共同电极、所述第二梳状电极的侧面、以及所述第一梳状电极的电极指的侧面间，所述第二梳状电极具有填充在由所述第一绝缘膜与所述压电衬底的梳状电极形成面所形成的凹部中的电极指；
平坦面，形成在所述第一梳状电极、所述第一绝缘膜及所述第二梳状电极相反于所述压电衬底的一侧；及
第二绝缘膜，形成在所述平坦面。


2.根据权利要求1所述的表面弹性波器件，其特征在于：所述第一绝缘膜的宽度相比于所述第一梳状电极的电极指的宽度以及所述第二梳状电极的电极指的宽度为窄幅，所述第二梳状电极的电极指的宽度不大于所述第一梳状电极的电极指的宽度。


3.根据权利要求1或2所述的表面弹性波器件，其特征在于：所述第一梳状电极的相邻的电极指间的间隔形成为与所述第一梳状电极的电极指的宽度相等。


4.根据权利要求1或2所述的表面弹性波器件，其特征在于：所述第一梳状电极与所述第二梳状电极是由不同种类的金属形成。


5.根据权利要求4所述的表面弹性波器件，其特征在于：所述第一梳状电极是由铝或铝合金形成，所述第二梳状电极是由铜形成。


6.根据权利要求1或2所述的表面弹性波器件，其特征在于：所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜是...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村博文，熊谷浩一，门川裕，饭田浩章，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，三安日本科技株式会社，
类型：发明
国别省市：福建;35