半导体装置的制造方法制造方法及图纸

具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
就公知的光模块而言，通过在载体(Submount)电极与例如将AuSn作为材料的焊料之间设置阻挡层，从而抑制焊料的扩展。阻挡层的材料是Pt。抑制焊料的浸润扩展的效果是通过由阻挡层防止焊料与载体电极的Au的反应而得到的。并且，还考虑在形成Pt图案时的剥离时所产生的毛刺成为障碍而防止焊料的扩展。通过设置阻挡层而抑制焊料的扩展，从而能够防止以下情况，即，焊料在整个载体浸润扩展而无法确保导线键合区域。在专利文献1中，公开了在AuSn焊料层的熔融时，由于阻挡层即Pt层的存在，该AuSn焊料层不与Au层进行反应而保持作为焊料的性质。专利文献1：日本特开平5-190973号公报
技术实现思路
如果连载体的端部即切断线处也存在焊料，则有可能在切断时产生焊料毛刺，造成特性恶化及可靠性下降。为了防止这种情况，需要使焊料与载体的端部相比向内侧退入而形成。即，仅在与载体的端面相比希望退后的部位设置焊料。在向以上述方式准备的载体焊接激光芯片时，在激光芯片之下被按压的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：/n准备载体，该载体具有载体基板、电极层、阻挡层、毛刺以及焊料，该载体基板具有第1端面和与所述第1端面相对的第2端面，该电极层设置于所述载体基板之上，该阻挡层设置于所述电极层之上，在俯视观察时仅达到至所述载体基板的端面中的所述第1端面或者所述第2端面的至少一者，该毛刺位于所述阻挡层的侧面，比所述阻挡层高，该焊料在所述阻挡层之上，在俯视观察时从所述载体基板的全部端面退后地设置；/n将具有发光条带区域和所述发光条带区域左右的相邻区域的激光芯片搭载于所述焊料之上，使所述激光芯片位于所述第1端面的正上方和所述第2端面的正上方；以及/n使加热后的所述焊料在其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：
准备载体，该载体具有载体基板、电极层、阻挡层、毛刺以及焊料，该载体基板具有第1端面和与所述第1端面相对的第2端面，该电极层设置于所述载体基板之上，该阻挡层设置于所述电极层之上，在俯视观察时仅达到至所述载体基板的端面中的所述第1端面或者所述第2端面的至少一者，该毛刺位于所述阻挡层的侧面，比所述阻挡层高，该焊料在所述阻挡层之上，在俯视观察时从所述载体基板的全部端面退后地设置；
将具有发光条带区域和所述发光条带区域左右的相邻区域的激光芯片搭载于所述焊料之上，使所述激光芯片位于所述第1端面的正上方和所述第2端面的正上方；以及
使加热后的所述焊料在其浸润扩展由于所述毛刺而受到限制的同时，在所述第1端面或者所述第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，所述延伸部将所述激光芯片与所述阻挡层直接连接。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述阻挡层在俯视观察时达到至所述第1端面和所述第2端面，所述延伸部在俯视观察时达到至所述第1端面和所述第2端面。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
与所述激光芯片的谐振器方向正交的方向即正交方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：楠政谕，藏本恭介，西田武弘，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP