扫描电子显微镜系统和图案的深度测量方法技术方案

本发明专利技术的扫描电子显微镜系统具备：初级电子线照射单元，其向具有在第一图案的周边区域形成的第二图案的基板的第一图案照射初级电子线；检测单元，其检测从被初级电子线照射单元照射了初级电子线的基板释放的后方散射电子；图像生成单元，其生成与通过检测单元检测出的后方散射电子的强度对应的电子线图像；指定单元，其在通过图像生成单元生成的电子线图像上，指定存在第一图案的深度测量区域；处理单元，其求出深度测量区域的图像信号、存在第二图案的上述周边区域内的图案密度，根据该求出的深度测量区域的图像信号和周边区域内的图案密度来推定深度测量区域内的第一图案的深度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扫描电子显微镜系统和图案的深度测量方法
本专利技术涉及扫描电子显微镜系统和图案的深度测量方法。
技术介绍
在半导体制造工序的图案(例如坑的侧壁的凹图案)的尺寸的测量中，广泛使用了扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscopy：SEM)。作为公开这种测量凹图案的尺寸的技术的文献，例如有专利文献1。在专利文献1中，通过向坑底照射初级电子线，产生能够穿过坑的侧壁的高能量的后方散射电子(BackScatteredElectron：BSE)，通过检测该后方散射电子而取得坑低的信息，并进行凹图案的尺寸的测量。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平4-149944号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，在最近的NAND闪存中，正在加速开发层叠存储器阵列而三维化的技术(3D-NAND)。在3D-NAND中，多个坑相邻而形成多个凹图案。并且，在电子的飞行距离(电子能够在试料内通过的最大移动距离)内有一个坑的情况、在电子的飞行距离内有多个坑相邻的情况下，在评价对象本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扫描电子显微镜系统，其特征在于，具备：/n初级电子线照射单元，其向具有在第一图案的周边区域形成的第二图案的基板的上述第一图案照射初级电子线；/n检测单元，其检测从被上述初级电子线照射单元照射了初级电子线的基板释放的后方散射电子；/n图像生成单元，其生成与通过上述检测单元检测出的后方散射电子的强度对应的电子线图像；/n指定单元，其在通过上述图像生成单元生成的电子线图像上，指定存在上述第一图案的深度测量区域；以及/n处理单元，其求出上述深度测量区域的图像信号和存在上述第二图案的上述周边区域内的图案密度，根据该求出的上述深度测量区域的图像信号和上述周边区域内的图案密度，推定上述深度测量区域内...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180406 JP 2018-0737171.一种扫描电子显微镜系统，其特征在于，具备：
初级电子线照射单元，其向具有在第一图案的周边区域形成的第二图案的基板的上述第一图案照射初级电子线；
检测单元，其检测从被上述初级电子线照射单元照射了初级电子线的基板释放的后方散射电子；
图像生成单元，其生成与通过上述检测单元检测出的后方散射电子的强度对应的电子线图像；
指定单元，其在通过上述图像生成单元生成的电子线图像上，指定存在上述第一图案的深度测量区域；以及
处理单元，其求出上述深度测量区域的图像信号和存在上述第二图案的上述周边区域内的图案密度，根据该求出的上述深度测量区域的图像信号和上述周边区域内的图案密度，推定上述深度测量区域内的上述第一图案的深度。


2.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜系统，其特征在于，
上述初级电子线照射单元向具有在作为凹状图案的上述第一图案的周边区域形成的作为凹状图案的上述第二图案的基板的上述第一图案照射上述初级电子线。


3.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜系统，其特征在于，
上述处理单元使用上述周边区域内的上述基板内的固体所占的比例即上述图案密度，推定上述第一图案的深度。


4.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜系统，其特征在于，
上述扫描电子显微镜系统还具备：数据库，其预先存储了上述深度测量区域的图像信号和上述深度测量区域内的上述第一图案的深度和上述周边区域内的图案密度的关系，
上述处理单元参照上述数据库，求出与上述求出的深度测量区域的图像信号和上述周边区域内的图案密度对应的上述深度测量区域内的上述第一图案的深度。


5.根据权利要求4所述的扫描电子显微镜系统，其特征在于，
上述数据库针对多种上述第一图案中的每一个，存...

【专利技术属性】
技术研发人员：西畑贵博，大崎真由香，山本琢磨，滨口晶，饭田悠介，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP