导电性糊剂制造技术

提供由于分散稳定性良好而焙烧时的异常晶粒生长等问题得到抑制的导电性糊剂。通过本发明专利技术，提供含有导电性粉末、电介质粉末和有机成分，其用于形成导体膜的导电性糊剂。所述导电性糊剂以如下方式制造：通过透过率变化速度评价对该导电性糊剂实施离心沉降处理时的导电性粉末和电介质粉末的离心沉降行为时，透过率变化速度为0.003以下，上述透过率变化速度被定义为基于沿着离心沉降方向的透过率分布而算出的积分透过率的每单位时间的变化量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性糊剂
本专利技术涉及导电性糊剂。更具体而言，本专利技术涉及适于形成层叠陶瓷电子部件的内部电极层的导电性糊剂。本申请主张基于2018年3月30日申请的日本国专利申请2018-068733号的优先权，将该申请的全部内容作为参照引进到本说明书中。
技术介绍
层叠陶瓷电容器(Multi-LayerCeramicCapacitor：MLCC)具有由陶瓷形成的电介质层和内部电极层多层层叠而成的结构。该MLCC通常如下制作：在由电介质粉末和粘结剂等形成的电介质坯片上印刷含有导电性粉末的内部电极用的导电性糊剂而形成内部电极层，将该印刷有内部电极层的电介质坯片多层层叠并压接，进行焙烧，由此制作上述MLCC。在此，例如专利文献1中公开了一种导电性糊剂，其含有导电性颗粒以及包含电介质颗粒的共存材料，共存材料具备非导电性覆盖部。记载了若利用上述构成，则在导电性颗粒烧结而形成内部电极层时，夹在导电性颗粒之间的共存材料彼此不会反应，可以合适地抑制导电性颗粒的异常晶粒生长。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国专利申请公开第2007-123198号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，随着电子仪器的小型、轻量化，对于构成电子仪器的各电子部件也要求小型薄层化。对于MLCC而言，要求通过使电介质层进一步变薄且进一步增加层叠数而扩大电极面积，由此将MLCC的体积小型化的同时增大静电电容。对应于这种电介质层和内部电极层的薄层化，例如为了形成内部电极层而使用的粉末的平均粒径被微细化到共存材料中为10nm水平、导电性颗粒中为几百nm水平。因此，准备专利文献1中公开的具备非导电性覆盖部的共存材料是极其困难的。另一方面，随着电介质层和内部电极层的薄层化，迄今为止不会成为问题的水平下的导电性颗粒的晶粒生长成为问题。例如存在由于导电性颗粒在焙烧时过度进行晶粒生长，内部电极层膨胀而电介质层受到压迫，引起电介质层的耐电压的降低、可靠性的降低这种问题。另外，若导电性颗粒进一步粗大地进行晶粒生长，则会扎破经过薄层化的电介质层，存在形成产品不良而引起成品率降低这种问题。认为这种导电性颗粒的晶粒生长是由于下述原因而产生的：在焙烧前的导电性糊剂涂膜中导电性颗粒和电介质颗粒没有均匀地存在，存在很多导电性颗粒彼此的接点多的部位(即，不存在电介质颗粒的部分)，无法发挥利用电介质颗粒带来的烧结抑制效果。另外，若这些粉末变得微细而表面活性提高，则这种导电性颗粒和电介质颗粒的不均匀性有可能变得进一步显著。本专利技术是鉴于此而提出的，其目的在于，提供由于导电性粉末和电介质粉末的分散稳定性良好，因而焙烧时的异常晶粒生长等问题得到抑制的导电性糊剂。用于解决问题的方案若基于本专利技术人等的研究，则导电性糊剂即使所使用的原料相同，通过调整糊剂制造条件，也可以使糊剂中的导电性粉末和电介质粉末的分散状态变化。并且发现，通过以如下所述规定的“透过率变化速度”实现0.003以下的方式分别控制糊剂制造条件，得到具备迄今为止没有的高水平的分散稳定性的导电性糊剂。本技术是基于上述发现完成的。即，通过在此公开的技术，提供含有导电性粉末、电介质粉末和有机成分的、用于形成导体膜的导电性糊剂。在此，所述导电性糊剂以如下方式制造：通过透过率变化速度评价对该导电性糊剂实施离心沉降处理时的上述导电性粉末和上述电介质粉末的离心沉降行为时，上述透过率变化速度为0.003以下，上述透过率变化速度被定义为基于沿着上述离心沉降方向的透过率分布而算出的积分透过率的每单位时间的变化量。若根据上述技术特征，则可以实现导电性粉末和电介质粉末在有机成分中极其稳定地分散，并且可以长期维持该分散状态的导电性糊剂。若利用该导电性糊剂，则导电性粉末和电介质粉末以良好的分散状态存在于有机成分中，因此即使形成涂膜时，也可以合适地抑制导电性粉末彼此聚集或者接触，将该涂膜焙烧时的晶粒生长得到大幅抑制。由此，将焙烧后的导体膜中的导电性颗粒和电介质颗粒的尺寸维持得小，例如可以抑制由于导电性颗粒的异常生长所导致的电介质层的扎破。其结果，可以制成品质和可靠性优异的电子部件。需要说明的是，本说明书中，“透过率变化速度”指的是通过经时性地获得对于导电性糊剂的透光率分布曲线而得到的积分透光率(T)的每单位时间的变化量(ΔT/Δt)。透光率分布曲线可以通过对导电性糊剂进行离心沉降处理时的糊剂中含有的颗粒的沉降状态，利用透光法或光反射法等光学的检测手段，在糊剂的全部区域沿着离心沉降方向实时并且直接性地测定透光率或光反射率来得到。在此公开的专利技术中，采用该透过率变化速度作为评价导电性糊剂的分散稳定性的指标。这种颗粒的离心沉降状态可以通过后述的实施例中具体示出的方法而正确且定量地计测。在此公开的导电性糊剂的优选一方式中，将上述导电性粉末的基于BET法的平均粒径设为D1、将上述电介质粉末的基于BET法的平均粒径设为D2时，满足0.03×D1≤D2≤0.4×D1。由此，即使形成薄的导电膜的情况下，电介质颗粒也合适地配置于导电性颗粒的间隙，而可以通过电介质粉末合适地抑制焙烧时的导电性颗粒的异常晶粒生长。在此公开的导电性糊剂的优选一方式中，上述导电性粉末的基于BET法的前述平均粒径D1为0.5μm以下。由此例如可以高精度地形成厚度约3μm以下程度的导体膜。在此公开的导电性糊剂的优选一方式中，上述导电性粉末为镍、铂、钯、银和铜中的至少一种。由此可以合适地实现导电性优异的导体膜。在此公开的导电性糊剂的优选一方式中，上述电介质粉末为选自由钛酸钡、钛酸锶和锆酸钙组成的组中的至少一种。由此可以合适地实现与介电常数高的电介质层的接合性优异的导体膜。在此公开的导电性糊剂的优选一方式中，可以用于形成层叠陶瓷电子部件的内部电极层。例如芯片类型的MLCC要求电介质层的进一步薄层化和高层叠化。配置于这种薄的(例如1μm以下)电介质层之间的内部电极层通过使用在此公开的导电性糊剂，可以作为表面平坦性高、电连接并且均匀的内部电极层合适地形成。其结果，可以合适地实现电介质层的短路、裂纹等的产生得到抑制的小型/大容量、并且高品质的MLCC。附图说明图1A为概略地说明MLCC的结构的示意剖视图。图1B为概略地说明未焙烧的MLCC主体的结构的示意剖视图。图2的(t0)～(t2)为说明对于导电性糊剂实施离心沉降处理时的透过率分布和其时间变化的样子的图。图3为对于(a)导电性糊剂的透过率分布的时间变化、(b)积分透过率的时间变化和(c)透过率变化速度进行说明的图。图4为对于将各例的导电性糊剂焙烧而成的导电膜，基于SEM观察计测的(a)镍颗粒和(b)钛酸钡颗粒的粒度分布。图5为例1及例4的导电膜表面的SEM观察图像。图6为对于例4的导电膜说明镍(Ni)颗粒和钛酸钡(BT)颗粒的粒径测定的样子的图。具体实施方式以下参照适当附图的同时对于本专利技术的优选实施方式进行说明。需要说明的是，本说明书中特别谈及的事项(例如导电性糊剂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性糊剂，其为用于形成导体膜的导电性糊剂，其含有导电性粉末、电介质粉末和有机成分，/n所述导电性糊剂以如下方式制造：/n通过透过率变化速度评价对该导电性糊剂实施离心沉降处理时的所述导电性粉末和所述电介质粉末的离心沉降行为时，所述透过率变化速度为0.003以下，所述透过率变化速度被定义为基于沿着所述离心沉降方向的透过率分布而算出的积分透过率的每单位时间的变化量。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0687331.一种导电性糊剂，其为用于形成导体膜的导电性糊剂，其含有导电性粉末、电介质粉末和有机成分，
所述导电性糊剂以如下方式制造：
通过透过率变化速度评价对该导电性糊剂实施离心沉降处理时的所述导电性粉末和所述电介质粉末的离心沉降行为时，所述透过率变化速度为0.003以下，所述透过率变化速度被定义为基于沿着所述离心沉降方向的透过率分布而算出的积分透过率的每单位时间的变化量。


2.根据权利要求1所述的导电性糊剂，其中，将所述导电性粉末的基于BET法的平均粒径设为D1、将所述电介质粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛泰基，
申请(专利权)人：株式会社则武，
类型：发明
国别省市：日本;JP