一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；第一介电层，位于所述基板上；多个金属结构，间隔位于所述第一介电层上；第二介电层，覆盖在所述多个金属结构的顶面和侧壁，以及所述第一介电层上；介孔层，位于所述第二介电层上；低介电常数区，位于每两个相邻的所述金属结构之间，为所述第二介电层和所述介孔层合围的区域。本发明专利技术能有效降低金属间的介电常数，减少寄生电容的产生。

A semiconductor structure and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，晶体管的特征尺寸越来越小，精细化程度越来越高，在这种情况下，对各半导体器件的每一部分做到精细化是必要的。比如，常用金属间介电层材料的介电常数普遍偏高，介电常数会产生金属间寄生电容，会对后续工艺的集成电路造成干扰，进而影响了集成电路的传送速度，同时，寄生电容还增加功耗，这些问题限制了后续集成电路性能的改进。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种半导体结构及其制备方法，通过在每两个相邻的所述金属结构之间，所述第二介电层和所述介孔层合围的区域中形成所述低介电常数区，能有效降低金属间的介电常数。为实现上述目的及其他目的，本专利技术是采用如下技术方案来实现的，本专利技术提供一种半导体结构，包括：基板；第一介电层，位于所述基板上；多个金属结构，间隔位于所述第一介电层上；第二介电层，覆盖在所述多个金属结构的顶面和侧壁，以及所述第一介电层上；介孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基板；/n第一介电层，位于所述基板上；/n多个金属结构，间隔位于所述第一介电层上；/n第二介电层，覆盖在所述多个金属结构的顶面和侧壁，以及所述第一介电层上；/n介孔层，位于所述第二介电层上；/n低介电常数区，位于每两个相邻的所述金属结构之间，为所述第二介电层和所述介孔层合围的区域；/n其中，所述低介电常数区中的介电常数的范围为1.0～3.0。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基板；
第一介电层，位于所述基板上；
多个金属结构，间隔位于所述第一介电层上；
第二介电层，覆盖在所述多个金属结构的顶面和侧壁，以及所述第一介电层上；
介孔层，位于所述第二介电层上；
低介电常数区，位于每两个相邻的所述金属结构之间，为所述第二介电层和所述介孔层合围的区域；
其中，所述低介电常数区中的介电常数的范围为1.0～3.0。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板为晶圆，或者为包含有元件或电路的半导体结构。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述低介电常数区为空心结构。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层为氧化硅层，所述第二介电层为氮化硅层。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介孔层为具有介孔结构的二氧化硅层。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属结构包括：
附着层；
金属层，位于所述附着层上；以及
阻抗层，位于所述金属层上。


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【专利技术属性】
技术研发人员：葛成海，李庆民，祝进专，谢烈翔，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11