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本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；第一介电层，位于所述基板上；多个金属结构，间隔位于所述第一介电层上；第二介电层，覆盖在所述多个金属结构的顶面和侧壁，以及所述第一介电层上；介孔层，位于所述第二介电层上；...
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