一种估算中子导致的触发器软错误率的方法技术

本发明专利技术公开了一种估算中子导致的触发器软错误率的方法，通过模拟中子入射产生次级离子的过程，得到次级离子的线性能量转移LET值的概率分布，并通过TCAD仿真得到触发器的关键线性能量转移值LED

【技术实现步骤摘要】
一种估算中子导致的触发器软错误率的方法
本专利技术涉及一种估算中子导致的触发器软错误率的方法，属于空间环境工程

技术介绍
软错误可能是由封装和晶圆材料中的放射性杂质发射的α粒子或源自宇宙射线与地球大气的相互作用的地球中子引起的。当高能辐射粒子入射通过集成电路材料，延入射轨迹会产生自由移动载流子并被反向p-n结的耗尽区收集。由于载流子移动产生的瞬时电流流过器件就会产生瞬态噪声脉冲。如果该瞬态脉冲通过后续电路传播并被存储元件捕获，则该单粒子瞬态(SET)会被锁存为单粒子翻转(SEU)。因为对硬件没有永久性损坏，这种由SET引起的SEU被称为“软”错误，而其发生率被称为软错误率(SER)。测试是确定IC的SER的最直接方法。但是实时SER测试是在制造出实际电路的条件下执行的复杂且昂贵的技术，需要测试数百甚至数千个器件以获得统计上显著的结果。此外，典型的实时SER实验的持续时间从几个月到多年不等。这种方法的一种替代方案是加速实验，应用强烈的辐射源，其粒子通量通常大于标称条件下的通量。因此，加速SER实验可以在几天甚至几小时内完成，具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种估算中子导致的触发器软错误率的方法，其特征在于，具体步骤如下：/nS1利用GEANT4软件导入入射中子和器件结构，模拟中子入射后与器件材料发生核反应产生次级离子的过程，得到次级离子的线性能量转移LET值的概率分布；/nS2通过TCAD软件进行单粒子翻转仿真，并导入触发器版图，得到触发器的关键线性能量转移值LET

【技术特征摘要】
1.一种估算中子导致的触发器软错误率的方法，其特征在于，具体步骤如下：
S1利用GEANT4软件导入入射中子和器件结构，模拟中子入射后与器件材料发生核反应产生次级离子的过程，得到次级离子的线性能量转移LET值的概率分布；
S2通过TCAD软件进行单粒子翻转仿真，并导入触发器版图，得到触发器的关键线性能量转移值LETcrit；
S3对各单能量中子，以中子差分通量率为权重，对中子能量这一积分变量进行积分，得到线性能量转移LET概率密度分布函数，如式(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海滨，李玉娇，王语甜，李磊，
申请(专利权)人：河海大学常州校区，
类型：发明
国别省市：江苏;32