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本发明公开了一种估算中子导致的触发器软错误率的方法，通过模拟中子入射产生次级离子的过程，得到次级离子的线性能量转移LET值的概率分布，并通过TCAD仿真得到触发器的关键线性能量转移值LED...
该专利属于河海大学常州校区所有，仅供学习研究参考，未经过河海大学常州校区授权不得商用。

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