一种集成电路数字后端设计的方法和系统技术方案

本发明专利技术提供了一种集成电路数字后端设计的方法和系统，所述方法，包括以下步骤：标注在版图设计中需要出第一引脚的若干个第一金属；对于每个第一金属，在所述第一金属中需要禁止出通孔处添加一层识别层；根据所述识别层和所述第一金属，得到物理库信息；导出所述物理库信息；根据所述物理库信息，进行后端设计。本发明专利技术提供的一种集成电路数字后端设计的方法，在得到物理库信息时，将禁止出通孔的位置处设置成Block，解决了自动布局布线时候产生的绕线困难问题、拥堵或者布线耗时长问题。

A method and system of IC digital back end design

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路数字后端设计的方法和系统
本专利技术涉及集成电路设计
，尤其涉及一种集成电路数字后端设计的方法和系统。
技术介绍
数字集成电路(IC)的设计包括集成电路数字前端设计和后端设计。其中，IC前端设计的重点在于，根据芯片规格书完成SOC的设计和集成，使用仿真验证工具完成SOC的设计验证；IC后端设计的重点在于，将IC前端设计产生的门级网表通过EDA设计工具进行布局布线和进行物理验证并最终产生供制造用GDSII数据。主流数字后端设计的流程中，准备数据的文件包括：标准单元库STD、宏单元和IO、SRAM等所需IP的物理库、时序库和网表库。其中，物理库文件信息(LEF)，用来描述库单元的物理属性，包括端口位置、后端金属层次信息和引脚金属(PIN)的信息，它抽象了单元的底层几何细节，以便允许布线器在不对内部单元约束来进行修订的基础上进行单元连接。现有技术中，如附图2所示出引脚金属通常仅设置标签(Label)所在的金属层次及是否引出金属引脚，适用于28nm工艺以上的大部分设计。但是由于该方案在设置引脚金属的标签时，并没有考虑禁止出通孔的位置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路数字后端设计的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100：标注在版图设计中需要出第一引脚的若干个第一金属；/nS200：对于每个所述第一金属，在所述第一金属中需要禁止引出通孔的位置添加一层识别层；/nS300：根据所述识别层和所述第一金属，得到物理库信息；/nS400：导出所述物理库信息；/nS500：根据所述物理库信息，进行后端设计。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路数字后端设计的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100：标注在版图设计中需要出第一引脚的若干个第一金属；
S200：对于每个所述第一金属，在所述第一金属中需要禁止引出通孔的位置添加一层识别层；
S300：根据所述识别层和所述第一金属，得到物理库信息；
S400：导出所述物理库信息；
S500：根据所述物理库信息，进行后端设计。


2.根据权利要求1所述的集成电路数字后端设计的方法，其特征在于，步骤S200中，所述在所述第一金属中需要禁止出通孔处添加一层识别层，包括所述识别层覆盖所述通孔。


3.根据权利要求2所述的集成电路数字后端设计的方法，其特征在于，所述识别层覆盖通孔，包括所述识别层的尺寸与所述通孔的尺寸相同。


4.根据权利要求2所述的集成电路数字后端设计的方法，其特征在于，所述识别层覆盖通孔，包括所述识别层的尺寸大于所述通孔的尺寸。


5.根据权利要求4所述的集成电路数字后端设计的方法，其特征在于，所述识别层的尺寸大于所述通孔的尺寸，
包括，位于其中一个所述第一金属中的所述识别层与其他的第一金属不相交。


6.根据权利要求1所述的集成电路数字后端设计的方法，其特征在于，步骤S300中，所述根据所述识别...

【专利技术属性】
技术研发人员：许烨东，高唯欢，杨婷，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31