【技术实现步骤摘要】
半导体封装的设计方法和半导体封装设计系统相关申请的交叉引用本申请要求向韩国知识产权局于2019年4月5日提交的韩国专利申请第10-2019-0040290号和于2019年8月16日提交的韩国专利申请第10-2019-0100538号的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文中。
技术介绍
本专利技术构思涉及一种半导体封装的设计方法，并且更具体地涉及一种分析信号完整性和电源完整性并基于所分析的信号完整性和电源完整性来设计半导体封装的设计方法，以及一种半导体封装设计系统。现有的用于设计半导体封装的工艺流程所关注的仅仅是平面晶片设计，因而难以检测出在堆叠于2.5维(2.5D)中介层上的芯片中或具有多个垂直堆叠晶片的芯片中的堆叠结构所引起的影响。因此，已经针对适用于包括堆叠结构的半导体封装的设计方法进行了研究。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种检测对总体设计的影响并基于该影响来设计半导体封装以生产出功能得到改善的半导体封装的方法以及一种半导体封装设计系统，其中该影响由包括2.5维(2.5D)中介层或多个垂直堆叠...
【技术保护点】
1.一种制造半导体封装的方法，所述半导体封装包括第一芯片、第二芯片、2.5维(2.5D)中介层、封装基板和板，所述方法包括：/n基于设计信息，生成布局，所述布局包括所述封装基板上的所述2.5D中介层和分别布置在所述2.5D中介层上的所述第一芯片和所述第二芯片；/n根据所述布局分析所述第一芯片与所述第二芯片之间的信号完整性和电源完整性中的至少一种；/n根据所述布局分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第三芯片之间的信号完整性或电源完整性；/n基于分析所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述信号完整性和所述电源完整性中的至少一种以及分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第三芯片之间的所...
【技术特征摘要】
20190405 KR 10-2019-0040290;20190816 KR 10-2019-011.一种制造半导体封装的方法，所述半导体封装包括第一芯片、第二芯片、2.5维(2.5D)中介层、封装基板和板，所述方法包括：
基于设计信息，生成布局，所述布局包括所述封装基板上的所述2.5D中介层和分别布置在所述2.5D中介层上的所述第一芯片和所述第二芯片；
根据所述布局分析所述第一芯片与所述第二芯片之间的信号完整性和电源完整性中的至少一种；
根据所述布局分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第三芯片之间的信号完整性或电源完整性；
基于分析所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述信号完整性和所述电源完整性中的至少一种以及分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第三芯片之间的所述信号完整性或所述电源完整性的分析结果，确定是否修改所述布局；并且
当确定不修改所述布局时，形成包括所述第一芯片、所述第二芯片、所述2.5D中介层、所述封装基板和所述板的所述半导体封装。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述信号完整性和所述电源完整性的分析还包括：
提取所述2.5D中介层的配置的第一电特性；并且
通过使用所述提取的第一电特性来生成所述信号完整性和所述电源完整性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中
所述2.5D中介层的所述配置包括多个硅通孔TSV、多个通孔和多条金属线。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述信号完整性和所述电源完整性的生成还包括：
通过使用用于所述第一芯片与所述第二芯片之间的通信的所述2.5D中介层的第一配置的阻抗、偏斜、回波损耗、插入损耗和串扰X-talk中的至少一种，从所述提取的第一电特性生成所述信号完整性；并且
通过使用用于向所述第一芯片和所述第二芯片供电的所述2.5D中介层的第二配置的同步开关噪声SSN、电阻和阻抗中的至少一种，从所述提取的第一电特性生成所述电源完整性。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述信号完整性的生成包括：
通过为所述阻抗、所述偏斜、所述回波损耗、所述插入损耗和所述X-talk中的至少一种中的所述插入损耗分配最大权重来生成所述信号完整性。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一芯片与所述至少一个第三芯片之间的所述信号完整性或所述电源完整性的分析还包括：
提取所述2.5D中介层的配置的第二电特性；并且
通过使用所述提取的第二电特性，生成所述信号完整性或所述电源完整性。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述2.5D中介层的所述配置包括多个硅通孔TSV、多个通孔、多个网格和多个凸块，用于到所述封装基板的连接。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一芯片与所述至少一个第三芯片之间的所述信号完整性或所述电源完整性的生成还包括：
通过使用用于所述第一芯片与所述至少一个第三芯片之间的通信的所述2.5D中介层的第一配置的电容或插入损耗，从所述提取的第二电特性生成所述信号完整性。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一芯片与所述至少一个第三芯片之间的所述信号完整性或所述电源完整性的生成还包括：
通过使用用于从所述至少一个第三芯片向所述第一芯片供电的所述2.5D中介层的第二配置的电阻和阻抗中的至少一种，从所述提取的第二电特性生成所述电源完整性。
10.根据权利要求1所述的方法，其中是否修改所述布局的确定还包括：
当所述分析结果不满足签核条件时，确定要修改所述布局；并且
基于所述分析结果，修改所述设计信息。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述布局的生成还包括：
基于所述修改后的设计信息，重新生成所述布局。
12.一种制造半导体封装的方法，所述半导体封装包括具有垂直堆叠的多个晶片的第一芯片、封装基板以及板，所述方法包括：
生成包括所述封装基板上的所述第一芯片的布局；
根据所述布局分析所述第一芯片的所述多个晶片之间的信号完整性和电源完整性中的至少一种；
根据所述布局分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第二芯片之间的信号完整性或电源完整性；
基于分析所述第一芯片的所述多个晶片之间的所述信号完整性和所述电源完整性中的至少一种以及分析所述第一芯片与所述板上的至少一个第二芯片之间的所述信号完整性或所述电源完整性的分析结果，修改所述布局；并且
基于所述修改后的布局，形成包括具有垂直堆叠的多个晶片的所述第一芯片、所述封装基板和所述板的所述半导体封装。
13.根据权利要求12所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄允载，文盛煜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。