版图图形密度的分析方法技术

本发明专利技术提供了一种版图图形密度的分析方法，包括：将数版图划分为多个网格，计算每个网格的第一局部图形密度，判断第一局部图形密度是否超过第一规格；若没有超过所述第一规格，则判断第一局部图形密度是否超出第二规格；若超出将网格标记为1，否则标记为0，集合得到第一密度矩阵；复制多个第一密度矩阵组合形成第二密度矩阵；生产晶圆时，如果晶圆异常，将异常部分对应的网格标记为1，否则标记为0形成第三密度矩阵；依次求得所有网格在第二密度矩阵的数值和第三密度矩阵的数值的乘积，若乘积为1时，则对应的网格的局部图形密度不达标。将晶圆和机台的异常考虑到版图的图形密度的分析中，可以提高后续生产时晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
版图图形密度的分析方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其是涉及一种版图图形密度的分析方法。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，版图图形越来越复杂，图形密度分析已成为很多关键层次掩模版数据分析的重要步骤。在半导体制造过程中，图形密度分布均匀与否对蚀刻工艺及化学机械研磨工艺的影响很大，在图形密度分布不均的情况下，不仅容易加重蚀刻中的负载效应，导致部分图形的最终尺寸与目标尺寸偏离，更容易使图形在化学机械研磨工艺中发生过磨。因此，准确地计算图形密度，找到高风险工艺区域，有利于工程师及时了解产品高风险工艺热点具体位置及图形特性，及早的制定出相应的应对措施，顺利达成产品的流片及量产。传统的图形密度分析是根据版图即chip的数据来检查本层版图的图形密度，但是实际生产中，生产机台对wafer(晶圆)产生的效应没有考虑到其中，仅仅做chip数据的版图图形密度分析会漏失掉对wafer整体的一些影响。例如waferedge(晶圆边缘)对于光刻来讲，更容易defocus(散焦)，waferedge的图形密度差异对于工艺更加敏感。例如薄膜沉积机台的机械爪手位置是固本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种版图图形密度的分析方法，其特征在于，包括：/n将版图划分为多个网格，计算每个所述网格的第一局部图形密度，并判断所述第一局部图形密度是否超过第一规格；/n若所述第一局部图形密度没有超过所述第一规格，判断所述第一局部图形密度是否超出第二规格；/n若超出所述第二规格，则将网格标记为1，否则标记为0；/n将多个所述标记集合，以得到第一密度矩阵；/n复制多个所述第一密度矩阵，以形成第二密度矩阵；/n生产晶圆时，若晶圆出现异常，将晶圆的异常部分对应的版图上的网格标记为1，若没有异常，则对应的版图上的网格标记为0，将多个所述网格的标记集合，以形成第三密度矩阵；/n依次求得所有所述网格在所述第二密度矩...

【技术特征摘要】
1.一种版图图形密度的分析方法，其特征在于，包括：
将版图划分为多个网格，计算每个所述网格的第一局部图形密度，并判断所述第一局部图形密度是否超过第一规格；
若所述第一局部图形密度没有超过所述第一规格，判断所述第一局部图形密度是否超出第二规格；
若超出所述第二规格，则将网格标记为1，否则标记为0；
将多个所述标记集合，以得到第一密度矩阵；
复制多个所述第一密度矩阵，以形成第二密度矩阵；
生产晶圆时，若晶圆出现异常，将晶圆的异常部分对应的版图上的网格标记为1，若没有异常，则对应的版图上的网格标记为0，将多个所述网格的标记集合，以形成第三密度矩阵；
依次求得所有所述网格在所述第二密度矩阵的数值和所述第三密度矩阵的数值的乘积，若乘积为1时，则对应的所述网格的局部图形密度不达标。


2.如权利要求1所述的版图图形密度的分析方法，其特征在于，若所述第一局部图形密度超过第一规格时，进行报警处理。


3.如权利要求1所述的版图图形密度的分析方法，其特征在于，所述第一规格具有第一上限和第一下限，所述第二规格具有第二上限和第二下限，所述第二上限的值小于所述第一上限的值，所述第二下限的值大于所述第一下限的值。


4.如权利要求3所述的版图图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：程玮，朱忠华，姜立维，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31