一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻液组合物、其制备及应用。具体地，所述的蚀刻液组合物，按质量份数计，其包括下述组分：磷酸76.5～84.6份、水13.5～15份、如式A所示的化合物0.5～10份。使用本发明专利技术的如式A所示的化合物及组合物可提供高选择比，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用
专利技术涉及一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用。
技术介绍
诸如氧化硅膜的氧化物膜和诸如氮化硅膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜，并且在半导体制造过程中，氧化硅膜或氮化硅膜可单独使用或以层叠体(laminate)的形式使用，在层叠体中一层或多层薄膜交替堆叠。此外，氧化物膜或氮化物膜也用作用于形成诸如金属布线的导电图案的硬掩模。在用于去除氮化物膜的湿式蚀刻工艺中，通常使用磷酸水溶液。单独的磷酸水溶液存在很多问题，诸如：氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当，工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多，导致药水寿命短，无法适应层叠结构的层数增加等。为了解决这些问题，亟需考虑在磷酸水溶液中增加添加剂，以提升磷酸水溶液的蚀刻能力。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是为了克服现有技术中氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当，工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多，导致药水寿命短，无法适应层叠结构的层数增加等缺陷，而提供了一种蚀刻液、其制备方法和应用。使用该蚀刻液蚀刻氧化硅和氮化硅的蚀刻速率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，按质量份数计，其包括以下组分：磷酸76.5～84.6份、水13.5～15份、如式A所示的化合物0.5～10份/n

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，按质量份数计，其包括以下组分：磷酸76.5～84.6份、水13.5～15份、如式A所示的化合物0.5～10份





2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的质量份数为0.5～9.5份；
和/或，所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.9-84.6份；
和/或，所述的水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.5-14.9份；
和/或，所述的蚀刻液组合物由下述组分组成：如式A所示的化合物、磷酸和水；
和/或，所述的蚀刻液组合物，其包括以下组分：磷酸76.5％～84.6％、水13.5％～15％、如式A所示的化合物0.5％～10％，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液组合物的质量的百分比。


3.如权利要求2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为1.0-9.5份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.9-84.1份；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.6-14.8份；
和/或，所述蚀刻液组合物，其包括以下组分：磷酸76.9％～84.6％、水13.1％～15％、如式A所示的化合物0.5％～9.5％，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液组合物的质量的百分比；
和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行；
和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的氮化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氮化硅膜；
和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的氮化硅膜的厚度为


4.如权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为4.5份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为81.2份；
和/或，按质量份数计，所述的水的为含量14.3份；
和/或，所述蚀刻液组合物，其包括以下组分：磷酸76.9％～84.1％、水13.6％～15.7％、如式A所示的化合物1％～9.5％，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液组合物的质量的百分比；
和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜；
和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜的厚度为
和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜为氧化硅膜和氮化硅膜的层叠结构，所述的层叠结构的层数可为10～200层。


5.如权利要求1-4中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述的蚀刻液组合物为以下任一方案：
方案1：
所述的蚀刻液组合物由下述组分组成：0.5％的如式A所示的化合物、84.6％的磷酸和14.9％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案2：
所述的蚀刻液组合物由下述组分组成：1％的如式A所示的化合物、84.1％的磷酸和14.9％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案3：
所述的蚀刻液组合物由下述组分组成：4.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，孙红旗，季峥，马伟，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31