【技术实现步骤摘要】
高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用
本专利技术涉及一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。
技术介绍
诸如氧化硅膜的氧化物膜和诸如氮化硅膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜，并且在半导体制造过程中，氧化硅膜或氮化硅膜可单独使用或以层叠体(laminate)的形式使用，在层叠体中一层或多层薄膜交替堆叠。此外，氧化物膜或氮化物膜也用作形成诸如金属布线的导电图案的硬掩模。在用于去除氮化物膜的湿式蚀刻工艺中，通常使用磷酸水溶液。单独的磷酸水溶液存在很多问题，诸如：氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当，工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多，导致药水寿命短，无法适应层叠结构的层数增加等。为了解决这些问题，亟需考虑在磷酸水溶液中增加添加剂，以提升磷酸水溶液的刻蚀能力。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻选择性差、蚀刻液寿命短、无法适应层叠结构的层数增加等缺陷，而提供一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。本专利技术的蚀刻液可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻...
【技术保护点】
1.一种蚀刻液，其特征在于，按质量份数计，其包括下述组分：0.2-12.5份的如式A所示的化合物、74.2-85.1份的磷酸和12.9-15.6份的水；/n
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，其特征在于，按质量份数计，其包括下述组分：0.2-12.5份的如式A所示的化合物、74.2-85.1份的磷酸和12.9-15.6份的水；
2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为0.5-10.0份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.5-84.6份；
和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为7.6:1-169.1:1；
和/或，所述的水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.5-14.9份；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液。
3.如权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为1.0-9.5份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.9-84.1份；
和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为8.1:1-84.1:1；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.6-14.8份；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅的蚀刻液；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为层叠结构，所述的层叠结构的层数为20-200层。
4.如权利要求3所述的蚀刻液，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为0.5份、1.0份、4.5份、9.5份或10.0份，较佳地为4.5份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.5份、76.9份、81.2份、84.1份或84.6份，较佳地为81.2份；
和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为7.6:1、8.1:1、18.0:1、84.1:1或169.1:1，较佳地为18.0:1；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.5份、13.6份、14.3份、14.8份或14.9份，较佳地为14.3份；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度为
5.如权利要求1-4中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液为以下任一方案：
方案1：
按质量份数计，所述的蚀刻液由下述组分组成：如式A所示的化合物、磷酸和水；
方案2：
所述的蚀刻液由下述组分组成：0.5％-10.0％的如式A所示的化合物、76.5％-84.6％的磷酸和余量的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案3：
所述的蚀刻液由下述组分组成：1.0％-9.5％的如式A所示的化合物、76.9％-84.1％的磷酸和余量的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案4：
所述的蚀刻液由下述组分组成：0....
【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，蒋闯，季峥，徐锦波，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。