用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液制造技术

技术编号:25748389 阅读:48 留言:0更新日期:2020-09-25 20:59
本发明专利技术实施例公开了一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液,包括按质量百分比计算的以下组分:15‑45%的磷酸、1‑10%的硝酸、5‑25%的苹果酸、0.2‑0.6%的渗透剂、10‑14%的亚硝酰氯和1‑8%的磷酸二氢盐组成,余量为去离子水。本发明专利技术实施例提供的蚀刻液,合理调配各组分及用量,由于将硝酸、苹果酸和亚硝酰氯配合使用,使蚀刻液渗透性强,蚀刻效率高,蚀刻角度准,蚀刻线条平整,均匀且不会有残留。此外,由于本申请的蚀刻液对步骤二制备的混合物静置10s以上,之后放入转速为1000r/min的搅拌机中搅拌,能够将渗透剂和苹果酸充分混合到混合物中,从而提升蚀刻液的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液
本专利技术属于化工
,具体涉及一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极体显示器是一种用于显示通过特定的传输设备传输的一定的电子文件的画面并反射至人眼,以方便使用者获取想要的信息的附属装置,其在画面显示的领域中得到了广泛的使用。蚀刻液是通过利用侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体,在目前工业生产,尤其微电子加工领域具有广泛的用途。但目前用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液较少,且蚀刻液的渗透性弱、蚀刻效率不高、蚀刻角度不精准,都严重影响了蚀刻效果。
技术实现思路
为此,本专利技术实施例提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液,以解决现有技术中蚀刻液的渗透性弱、蚀刻效率不高、蚀刻角度不精准,都严重影响了蚀刻效果的问题。为了实现上述目的,本专利技术实施例提供如下技术方案:根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液,包括按质量百分比计算的以下组分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液,其特征在于,包括按质量百分比计算的以下组分:15-45%的磷酸、1-10%的硝酸、5-25%的苹果酸、0.2-0.6%的渗透剂、10-14%的亚硝酰氯和1-8%的磷酸二氢盐组成,余量为去离子水。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于有源矩阵有机发光二极体显示器多层薄膜的蚀刻液,其特征在于,包括按质量百分比计算的以下组分:15-45%的磷酸、1-10%的硝酸、5-25%的苹果酸、0.2-0.6%的渗透剂、10-14%的亚硝酰氯和1-8%的磷酸二氢盐组成,余量为去离子水。


2.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,包括按质量百分比计算的以下组分:25%的磷酸、3%的硝酸、6%的苹果酸、0.25%的渗透剂、7%的亚硝酰氯、10%的磷酸二氢钾组成,余量为去离子水。


3.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,包括按质量百分比计算的以下组分:30%的磷酸、2.5%的硝酸、8%的苹果酸、0.25%的渗透剂、13%的亚硝酰氯、12%的磷酸二氢钾组成,余量为去离子水。


4.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,包括按质量百分比计算的以下组分:30%的磷酸、3.5%的硝酸、5%的苹果酸、0.3%的渗透剂、13%的亚硝酰氯、15%的磷酸二氢钾组成,余量为去离子水。


5.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻液...

【专利技术属性】
技术研发人员:戈士勇何珂陆水忠
申请(专利权)人:江苏中德电子材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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