耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方法技术

本发明专利技术涉及一种耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方法，该光刻胶的组分及其重量百分数为：20‑40％线性酚醛环氧树脂、0.5‑1.5％环氧树脂的潜伏型固化剂、1‑15％线性酚醛树脂、3‑25％重氮类光敏剂、20‑65％溶剂、0‑2％其他助剂，其中所述环氧树脂的潜伏型固化剂与线性酚醛环氧树脂的反应固化温度为100‑120℃。与现有技术相比，本发明专利技术通过添加线性酚醛环氧树脂以及潜伏型固化剂搭配线性酚醛树脂，使得曝光区光刻胶可以显影完全；潜伏型固化剂搭配线性酚醛树脂作为环氧树脂的高温固化剂，提高了光刻胶浮雕图案的耐温性，有效地避免了后期干刻阶段光刻胶浮雕图案发生变形，使得光刻图案保持良好的分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功能高分子材料领域，具体涉及一种耐热正性光刻胶。

技术介绍

1、光刻技术是微电子加工
最关键技术之一；光刻过程中，掩膜板上的图形转移到半导体、金属、介电层衬底表面的光刻胶上。光刻胶分为正光刻胶和负光刻胶。对于正光刻胶，其在曝光前在显影液中的溶解速度极慢，在曝光后溶解速度显著加快，故位于掩膜板下曝光区的光刻胶将被显影液溶去，非曝光区的光刻胶被保留下来，从而在基片上获得高分辨率的浮雕图案。现有的正性光刻胶一般多为重氮萘醌/酚醛树脂类光刻胶，其主要成分有：成膜树脂如酚醛树脂、重氮萘醌系光敏化合物以及溶剂，其中重氮萘醌系光敏化合物因为与酚醛树脂形成氢键可以显著降低线性酚醛树脂在碱性显影液中的溶解度，且曝光后能光解重排形产生羧酸、使得曝光区在显影液中的溶解度提高几十倍到近千倍；由此经过遮光掩膜后，光刻胶涂层在曝光区和非曝光区产生巨大的溶解度差异。

2、光刻胶均匀涂覆在衬底材料上之后，需在80－120℃预烘烤以蒸发除去其中的溶剂，经过紫外等特定光束光照照射曝光后，通过显影实现掩膜图形在衬底上的转移、形成需要的光刻图案，最后需要在13本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐热正性光刻胶，其特征在于：其组分及其重量百分数为：20-40％线性酚醛环氧树脂、0.5-1.5％环氧树脂的潜伏型固化剂、1-15％线性酚醛树脂、3-25％重氮类光敏剂、20-65％溶剂、0-2％其他助剂，其中，所述环氧树脂的潜伏型固化剂与线性酚醛环氧树脂的反应固化温度为100-120℃，所述潜伏型固化剂为双氰胺，所述潜伏型固化剂为三氮化硼乙胺络合物。

2.根据权利要求1所述的耐热正性光刻胶，其特征在于：所述线性酚醛树脂为重均分子量大于2万的线性酚醛树脂。

3.根据权利要求2所述的耐热正性光刻胶，其特征在于：所述线性酚醛树脂的重均分子量不超过3.5万。...

【技术特征摘要】

1.一种耐热正性光刻胶，其特征在于：其组分及其重量百分数为：20-40％线性酚醛环氧树脂、0.5-1.5％环氧树脂的潜伏型固化剂、1-15％线性酚醛树脂、3-25％重氮类光敏剂、20-65％溶剂、0-2％其他助剂，其中，所述环氧树脂的潜伏型固化剂与线性酚醛环氧树脂的反应固化温度为100-120℃，所述潜伏型固化剂为双氰胺，所述潜伏型固化剂为三氮化硼乙胺络合物。

2.根据权利要求1所述的耐热正性光刻胶，其特征在于：所述线性酚醛树脂为重均分子量大于2万的线性酚醛树脂。

3.根据权利要求2所述的耐热正性光刻胶，其特征在于：所述线性酚醛树脂的重均分子量不超过3...

【专利技术属性】
技术研发人员：何珂，戈士勇，
申请(专利权)人：江苏中德电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：