氮化硅膜蚀刻组成物与使用其的蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种氮化硅膜蚀刻组成物。所述氮化硅膜蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述氮化硅膜蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化硅膜蚀刻组成物与使用其的蚀刻方法
本专利技术涉及一种用于氮化硅的蚀刻组成物与半导体元件的蚀刻方法。更具体而言，本专利技术尤其涉及一种用于氮化硅的蚀刻组成物与使用其进行的半导体元件的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物能够在蚀刻期间抑制副产物的沉淀的同时增大对氮化硅层的蚀刻速率及蚀刻选择性。
技术介绍
氧化硅层及氮化硅层在半导体制造制程中用作代表性绝缘层。此种绝缘层以单层或多层的形式使用。此外，所述氧化硅层及氮化硅层用作用于形成导电图案(例如，金属互连线)的硬遮罩(Hardmask)。在通过蚀刻移除此类氮化硅层时，通常使用磷酸。然而，磷酸是一种腐蚀性物质且促进例如Si(OH)4等副产物的沉淀，从而使得在蚀刻期间保持制程稳定性方面存在困难。因此，需要开发出一种能够在蚀刻期间抑制副产物的沉淀的同时增大对氮化硅层的蚀刻速率及蚀刻选择性的蚀刻组成物。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物，所述用于氮化硅的蚀刻组成物能够在蚀刻期间抑制副产物的沉淀的同时增大对氮化硅层的蚀刻速率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于氮化硅的蚀刻组成物，包含：/n磷酸化合物；/n多元醇；以及/n水。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180411 KR 10-2018-00424081.一种用于氮化硅的蚀刻组成物，包含：
磷酸化合物；
多元醇；以及
水。


2.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述磷酸化合物包括选自由正磷酸、偏磷酸、焦磷酸、亚磷酸及连二磷酸组成的群组中的至少一者。


3.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述多元醇包括选自由二元醇、三元醇及糖醇组成的群组中的至少一者。


4.根据权利要求3所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述二元醇包括邻苯二酚(catechol)。


5.根据权利要求3所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述糖醇包括选自由乳糖醇(Lactitol)、山梨醇(sorbitol)、甘露醇(mannitol)、异麦芽糖醇(Isomalt)、木糖醇(xylitol)、赤藓糖醇(erythritol)、核糖醇(adonitol)、阿拉伯糖醇(arabitol)及塔罗糖醇(talitol)组成的群组中的至少一者。


6.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，包含：
60重量％至95重量％...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄基煜，高尚兰，赵娟振，崔正敏，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR