一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用。该蚀刻液由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：75％‑85％的磷酸、0.1％‑12％的化合物A和3％‑24％的水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明专利技术的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化物膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。

A high selective ratio etching solution, its preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用
本专利技术涉及一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用。
技术介绍
诸如氧化硅膜的氧化物膜和诸如氮化硅膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜，并且在半导体制造过程中，氧化硅膜或氮化硅膜可单独使用或以层叠体(laminate)的形式使用，在层叠体中一层或多层薄膜交替堆叠。此外，氧化物膜或氮化物膜也用于形成诸如金属布线的导电图案的硬掩模。在用于去除氮化物膜的湿式蚀刻工艺中，通常使用磷酸水溶液。单独的磷酸水溶液存在很多问题，诸如：氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当，工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多，导致药水寿命短，无法适应层叠结构的层数增加等。为了解决这些问题，亟需考虑在磷酸水溶液中增加添加剂，以提升磷酸水溶液的蚀刻能力。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有的去除氮化物膜的湿式蚀刻工艺中使用磷酸水溶液进行蚀刻时，氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当、工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多导致药水寿命短、无法适应层叠结构的层数增加等缺陷，而提供了一种高选择比蚀刻液、其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物A在制备蚀刻液中的应用；/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物A在制备蚀刻液中的应用；





2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述的化合物A在所述的蚀刻液中的质量分数为0.1％-12％，例如0.5％-10％，再例如1.0％-9.5％；
和/或，所述的蚀刻液包含磷酸，所述的磷酸在所述的蚀刻液中的质量分数可为75％-85％；
和/或，所述的蚀刻液包含水，所述的水在所述的蚀刻液中的质量分数可为3％-24％；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液。


3.如权利要求2所述的应用，其特征在于，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行；
和/或，所述的氮化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氮化硅膜；
和/或，所述的氮化硅膜的厚度为


4.如权利要求3所述的应用，其特征在于，当所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液时，当所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜；
和/或，所述的氧化硅膜的厚度为
和/或，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜为氧化硅膜和氮化硅膜的层叠结构，所述的层叠结构的层数可为10～200层。


5.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述的蚀刻液的原料由以下任一方案组成：
方案A：
所述的蚀刻液的原料由4.50％的化合物A、81％的磷酸和14.5％的水组成；
方案B：
所述的蚀刻液的原料由1.0％的化合物A、84％的磷酸和15％的水组成；
方案C：
所述的蚀刻液的原料由9.50％的化合物A、78％的磷酸和12.5％的水组成；
方案D：
所述的蚀刻液的原料由0.50％的化合物A、85％的磷酸和14.5％的水组成；
方案E：
所述的蚀刻液的原料由10.0％的化合物A、77％的磷酸和13％的水组成。


6.一种蚀刻液组...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，孙红旗，季峥，刘金霞，张怡，唐耀宗，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31