高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用。本发明专利技术提供了一种蚀刻液，其包括下列重量份数的组分：0.5‑10份化合物A，76.5‑84.6份磷酸和13.5‑14.9份水。本发明专利技术的蚀刻液对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化硅膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。

Preparation and application of silicon nitride etching solution with high selective ratio

【技术实现步骤摘要】
高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用
本专利技术涉及一种高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用。
技术介绍
诸如氧化硅膜的氧化物膜和诸如氮化硅膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜，并且在半导体制造过程中，氧化硅膜或氮化硅膜可单独使用或以层叠体(laminate)的形式使用，在层叠体中一层或多层薄膜交替堆叠。此外，氧化物膜或氮化物膜也用作用于形成诸如金属布线的导电图案的硬掩模。在用于去除氮化物膜的湿式蚀刻工艺中，通常使用磷酸水溶液。单独的磷酸水溶液存在很多问题，诸如：氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当，工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多，导致药水寿命短，无法适应层叠结构的层数增加等。为了解决这些问题，亟需考虑在磷酸水溶液中增加添加剂，以提升磷酸水溶液的蚀刻能力。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题为现有蚀刻液对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻速率选择比不当。本专利技术提供一种高选择比氮化硅膜蚀刻液，其制备方法及应用。本专利技术蚀刻液能够选择性地去除氮化硅膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻液，其包括下列重量份数的组分：0.5-10份化合物A，76.5-84.6份磷酸和13.5-14.9份水；/n

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，其包括下列重量份数的组分：0.5-10份化合物A，76.5-84.6份磷酸和13.5-14.9份水；





2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液由下列重量份数组成：0.5-10份化合物A，76.5-84.6份磷酸和13.5-14.9份水；
和/或，所述的蚀刻液用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液；
和/或，所述的化合物A与磷酸的质量比为1：7.65-1：169；优选为1：8-1：77；更优选为1：8-1：18；还优选为1：18。


3.如权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液包括下列质量百分数的组分：0.5％-10％化合物A，76.5％-84.6％磷酸和13.5％-14.9％水；
和/或，所述的化合物A的重量份数为0.5～10份，例如0.5份、1.0份、4.5份、9.5份或10份，优选为1～9.5份，更优选为4.5份；
和/或，所述的磷酸的重量分数为76.4份-84.6份；例如76.4份、76.9份、81.2份、84.2份或84.6；优选为76.9份-81.2份；更优选为81.2份；
和/或，所述的水的重量分数为13.5-14.9份，例如13.5份、13.6份、14.3份、14.8份或14.9份，较佳地为13.6-14.8份，更佳地为14.3份；
和/或，当所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液时，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行；
和/或，当所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液时，所述的氮化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氮化硅膜；
和/或，当所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液时，所述的氮化硅膜的厚度为


4.如权利要求1-3中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述的水选自去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种；
和/或，所述的化合物A的质量百分数为1.0％-9.5％；优选为4.5％-9.5％，更优选为4.5％；
和/或，所述的磷酸的质量百分数为76.5％-84.2％；优选为76.9％-81.2％；最优选为81.2％；
和/或，所述的水的质量百分数为14％-14.8％；优选为14.3％-14.8％；更优选为14.3％；
和/或，当所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜为在图...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，蒋闯，季峥，史筱超，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31