新晶体结构全氟酞菁铜（η-F制造技术

本文涉及新晶体结构全氟酞菁铜(η‑F16CuPc)、其制造方法及应用。本文提供的全氟酞菁铜(η‑F

【技术实现步骤摘要】
新晶体结构全氟酞菁铜(η-F16CuPc)、其制造方法及应用
本专利技术的实施例涉及一种新晶体结构全氟酞菁铜(η-F16CuPc)、其制造方法及应用。
技术介绍
在过去的几年里，有机半导体材料因其出色的光物理和电化学性质，已经被广泛应用在有机光电子器件中，例如有机发光二极管，有机场效应晶体管，有机太阳能能电池。这些高性能的有机半导体材料通过π–π键结合，一般都具有不同的分子堆叠方式，形成不同的晶体结构，进而产生不同的物理化学性质。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种全氟酞菁铜(η-F16CuPc)(分子式C32F16N8Cu)，所述全氟酞菁铜(η-F16CuPc)的X-射线衍射谱(测试条件：CuKα1，0.02°/step/1s)在下列的2θ±0.10°处具有至少一个特征峰：6.32°、6.60°、7.06°和27.72°。根据本专利技术的一种实施方式，例如，所述全氟酞菁铜(η-F16CuPc)的X-射线衍射谱在下列的2θ±0.10°处具有至少一个特征峰：6.32°、6.60°、7.06°、12.162°、13本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全氟酞菁铜，其特征在于所述全氟酞菁铜的X-射线衍射谱，测试条件：Cu

【技术特征摘要】
1.一种全氟酞菁铜，其特征在于所述全氟酞菁铜的X-射线衍射谱，测试条件：CuKα1，0.02°/step/1s，在下列的2θ±0.10°处具有至少一个特征峰：6.32°、6.60°、7.06°和27.72°。


2.根据权利要求1所述的全氟酞菁铜，其特征在于所述全氟酞菁铜的X-射线衍射谱在下列的2θ±0.10°处具有特征峰：6.32°、6.60°、7.06°、12.162°、13.26°、14.24°、15.54°、16.56°、16.88°、19.90°、23.24°、25.04°、25.58°和27.72°；且对应于上述2θ，半峰宽分别为0.46、0.783、0.308、0.433、0.217、0.264、0.298、0.307、0.829、0.256、0.189、0.651、0.424和0.305。


3.根据权利要求2所述的全氟酞菁铜，其特征在于所述全氟酞菁铜的X-射线衍射谱在下列的2θ±0.10°处具有特征峰：6.32°、6.60°、7.06°、12.162°、13.26°、14.24°、15.54°、16.56°、16.88°、19.90°、23.24°、25.04°、25.58°和27.72°；且对应于上述2θ，半峰宽分别为0.46、0.783、0.308、0.433、0.217、0.264、0.298、0.307、0.829、0.256、0.189、0.651、0.424和0.305；分别对应于上述2θ，相对衍射强度分别为100％、65％、26.2％、2.3％、9.6％、4.9％、2.8％、3.7％、3.9％、1.5％、3％、2.1％、2.3％和30％。


4.根据权利要求1-3任一项所述的全氟酞菁铜，其特征在于所述全氟酞菁铜具有下列的傅氏转换红外线光谱(FTIR)特征峰：657.90cm-1、748.58cm-1、768.56cm-1、840.20...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海，邹涛隅，乔振芳，王晓燕，赵建红，于雷鸣，罗利，
申请(专利权)人：昆明学院，
类型：发明
国别省市：云南;53