一种电子注入材料及有机发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种电子注入材料，如式(I)所示；其中，所述R

An electron injection material and organic light emitting device

【技术实现步骤摘要】
一种电子注入材料及有机发光器件
本专利技术属于有机光电材料
，尤其涉及一种电子注入材料及有机发光器件。
技术介绍
近年来各种新型有机半导体材料和新型有机半导体器件结构的应用，使OLED性能和产业化都取得了重大进步，有机半导体材料与传统无机半导体材料相比有明显优势。但是，有机半导体材料尤其是电子传输材料的载流子浓度和迁移率比较低，并且有机半导体材料中电子的迁移率普遍比空穴迁移率低，如图1(a)所示，因此OLED中电子的注入与传输相比于空穴要困难，所以电子与空穴不能完全在复合区进行复合，限制了复合效率的提高。提高OLED中电子的注入与传输性能是降低有机发光器件工作电压、提高器件发光效率的关键方法之一。电学掺杂常用来改善有机半导体材料载流子注入与传输性能，降低器件工作电压，提高器件的效率等。所谓的电学掺杂是在载流子发射型器件中，由于阴极的功函数(WF)与有机化合物的最低未占据分子轨道(LUMO)之间存在较大的注入势垒，从阴极注入电子通常比较困难，为了增强电子注入，增加的一种N型掺杂剂，如图1(b)所示。传统N型掺杂剂的电子注入主要是通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子注入材料，其特征在于，如式(I)所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种电子注入材料，其特征在于，如式(I)所示：



其中，所述R1与R2各自独立地为取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的杂环基及其衍生物基团。


2.根据权利要求1所述的电子注入材料，其特征在于，所述取代或未取代的烷胺基选自取代或未取代的C1～C20的烷胺基；所述取代的烷胺基的取代基选自卤素、氰基、C1～C10的烷胺基与C1～C10的烷氧基中的一种或多种。


3.根据权利要求1所述的电子注入材料，其特征在于，所述取代的杂环基及其衍生物基团中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种或多种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的电子注入材料，其特征在于，所述取代或未取代的杂环基及其衍生物基团中的杂原子选自Si、S、O与N中的一种或多种，且至少包括Si或者N。


5.根据权利要求4所述的电子注入材料，其特征在于，所述取代或为取代的杂环基及其衍生物基团中的杂原子N的个数为1～3个。


6.根据权利要求1所述的电子注入材料，其特征在于，所述代或未取代的杂环基及其衍生物基团选自取代或未取代的噁唑及其衍生物基团、取代或未取代的噁二唑及其衍生物基团、取代或未取代的吡咯及其衍生物基团、取代或未取代的咪唑及其衍生物基团、取代或未取代的吡啶及其衍生物基团、取代或未取代的吡嗪及其衍生物基团、取代或未取代的嘧啶及其衍生物基团、取代或未取代的苯并噻唑及其衍生物基团、取代或未取代的菲啰啉及其衍生物基团、取代或未取代的喹喔啉及其衍生物基团、取代或未取代的苯并双噻唑及其衍生物基团、取代或未取代的苯并双噁唑及其衍生物基团、取代或未取代的噻咯及其衍生物基团。


7.根据权利要求6所述的电子注入材料，其特征在于，所述取代或未取代的噁唑及其衍生物基团选自下列基团中的一种：



其中，m1与m2各自独立地为0～2的整数；
所述R3与R4各自独立地选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的噁二唑及其衍生物基团选自下列基团：



所述R5选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的吡咯及其衍生物基团选自下列基团：



m3为0～3的整数；
所述R6与R7各自独立地选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的咪唑及其衍生物基团选自下列基团：



m4为0～2的整数；
所述R8选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的吡啶及其衍生物基团选自下列基团中的一种：



m5为0～4的整数；
所述R9选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、氰基、取代与未取代的C2～C10的含氮杂环基中的一种；所述取代的C2～C10的含氮杂环基中的取代基选自卤素、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基与氰基中的一种或多种；
所述取代或未取代的吡嗪及其衍生物基团选自下列基团中的一种：



m6为0～3的整数；m7与m7'各自独立地为0～5的整数
所述R10、R11与R11'各自独立地选自卤素、C1～C10...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘龙鑫，张正川，代好，叶添昇，汪奎，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42