一种硅片分片装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅片分片装置,包括吹气组件和固定吹气组件的支架组件，所述吹气组件包括有连通管，所述连通管用于对吹气组件供气，所述支架组件支撑吹气组件，所述吹气组件用于硅片分片,本实用新型专利技术采用L型的风刀连接板来固定吹气组件，在风刀连接板上设置水平方向的上孔，来调节吹气组件左右移动的位置，设置竖直方向的下孔来调节吹气组件上下移动的位置，从而有效的控制了吹气组件不同方向的移动，提高了设备的可靠性，本实用新型专利技术采用风刀底板和风刀板紧密连接的结构，通过设置扁平的喷腔，增大了气体的压强，从而增大了喷出气体的强度，提高了硅片分片效率。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片分片装置
本技术属于光伏领域，涉及一种硅片分片装置。
技术介绍
半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上，CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式，其中CVD即化学气相沉积，CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工，常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等，除了CVD之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等。目前行业内已有不少相关的设备，可以针对具体的加工需求来选择相应的设备进行加工，半导体或光伏材料的加工，通常是将片状材料送入炉中在一定温度和压力的条件下进行反应来实现。在加工的过程中，会对成对的硅片进行分片，传统的工艺通过真空泵或真空发生器将气流通过小孔喷出，喷出的气流对硅片进行分片，但存在喷气强度不够大，喷气不均匀造成硅片破损的问题，此设备有效地解决了这种问题。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术的不足，提供一种硅片分片装置。为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种硅片分片装置,其特征在于：包括吹气组件和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片分片装置,其特征在于：包括吹气组件和固定吹气组件的支架组件，所述吹气组件包括有连通管(319)，所述连通管(319)用于对吹气组件供气，所述支架组件支撑吹气组件，所述吹气组件用于硅片分片。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片分片装置,其特征在于：包括吹气组件和固定吹气组件的支架组件，所述吹气组件包括有连通管(319)，所述连通管(319)用于对吹气组件供气，所述支架组件支撑吹气组件，所述吹气组件用于硅片分片。


2.根据权利要求1所述的一种硅片分片装置，其特征在于：所述支架组件包括风刀连接板(311)，所述风刀连接板(311)固设有风刀连接块(318)，所述风刀连接块(318)上固设有导向轴(315)，所述导向轴(315)两侧固设有连接块(309)，所述连接块(309)与吹气组件固设连接。


3.根据权利要求1所述的一种硅片分片装置，其特征在于：所述吹气组件包括与连接块(309)固设连接的风刀板(308)，所述风刀板(308)内固设有气流腔(501)，所述气流腔(501)上固设有连孔(502)，所述连孔(502)连通设置有二通管(310)，所述连孔(502)连通设置有位于气流腔(501)内的对腔(503)，所述风刀板(308)内固设有与气流腔(501)连通设置的喷腔(515)，所述喷腔(515)设置为内凹型结构，所述对腔(503)、气流腔(501)和喷腔(515)组成气路通道，所述风刀板(308)下侧固设有风刀底板(307)。


4.根据权利要求1所述的一种硅片分片装置，其特征在于：所述吹气组件还包括连通管(319)，所述连通管(319)一侧与外接真空设备连通，所述外接真空设备可设置为真空发生器或真空泵，所述连通管(319)另一侧与二通管(310)连通。


5.根据权利要求1所述的一种硅片分片装置，其特征在于：所述吹气组件还包括有速度阀(313)和真空过滤器，所述速度阀(313)设置在真空...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁治祥，沈晓琪，强嘉杰，张立，
申请(专利权)人：无锡小强半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32