一种生长金刚石多晶膜用样品托及其装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及其装置，本实用新型专利技术的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本实用新型专利技术的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本实用新型专利技术的装置包括有上述结构的样品托，结构简单，设计合理，通过采用采用非对称式底部花纹的样品托，以改善外延金刚石多晶薄膜的厚度和晶向的均匀性，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。

【技术实现步骤摘要】
一种生长金刚石多晶膜用样品托及其装置
本技术涉及晶体合成
，特别是涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及其装置。
技术介绍
金刚石具有高硬度、高热导率、耐酸碱腐蚀和超宽禁带等优异的物理、化学及电学性能，在机械、半导体和饰品等领域均有重要的应用价值。天然金刚石在自然界中储量小，价格昂贵，且具有质量不均匀、尺寸小等问题，因此，为了获得大面积、稳定、均匀、低成本、高质量的金刚石，必须发展金刚石的人工合成技术。目前人工合成金刚石的方法主要有高温高压(HPHT)法和化学气相沉积(CVD)法，在各种CVD金刚石制备方法中，微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法以其具有等离子体功率密度高、无电极放电污染和性能稳定等特性，成为制备高品质金刚石的首选方法。除了外延高质量单晶金刚石外，MPCVD设备亦被应用于异质衬底上的大面积金刚石多晶膜外延，目前市面上采用2.45GHz微波源的MPCVD设备用于外延最大2英寸金刚石多晶膜，采用915MHz微波源的MPCVD设备则可外延4～6英寸金刚石多晶膜。大面积金刚石多晶膜的均匀性很大程度取决于等离子体球的准直性，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生长金刚石多晶膜用样品托，样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，其特征在于，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带；单个圆环由实心环带和空心环带组成，实心环带由相同材质制成，空心环带由若干个空心图形串联形成；若干个空心图形串联时接触连接；空心图形为规则图形；规则图形为圆形、矩形、正多边形和三角形中的任一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种生长金刚石多晶膜用样品托，样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，其特征在于，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带；单个圆环由实心环带和空心环带组成，实心环带由相同材质制成，空心环带由若干个空心图形串联形成；若干个空心图形串联时接触连接；空心图形为规则图形；规则图形为圆形、矩形、正多边形和三角形中的任一种。


2.根据权利要求1所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，单个圆环中，实心环带...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁雄傑，王忠强，王琦，张国义，
申请(专利权)人：北京大学东莞光电研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44