多晶硅清洗机制造技术

本实用新型专利技术公开了多晶硅清洗机。该多晶硅清洗机包括：本体和惰性气体喷吹装置，本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；惰性气体喷吹装置包括输气管道和多个风刀喷口，输气管道伸入本体内并延伸至酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽上方；多个风刀喷口设在输气管道上并沿输气管道的走向间隔分布，且多个风刀喷口分别独立地朝向酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域。该多晶硅清洗机结构简单、安装方便、投资小、见效快，能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅清洗机
本技术属于太阳能领域，具体而言，涉及多晶硅清洗机。
技术介绍
现有多晶硅清洗的工艺中，主要是将受到表面沾污的多晶硅块料浸泡在硝酸和氢氟酸的混合溶液中，通过酸与多晶硅表面发生的化学反应从而使多晶硅表面沾污杂质脱离多晶硅表面，以此提高多晶硅表面纯度，为后期铸锭或者单晶工艺提供优质原材料。多晶硅自动清洗设备是近年来在太阳能领域广泛使用的一种新技术，目前，现有的工艺技术主要从设备主体的密封方面进行改进，提高设备自身的密封性能，但是并不能防止空气的进入，无法解决物料从酸槽到快排纯水槽移动过程中产生的氧化现象，因此也就无法确保多晶硅的清洗质量和清洗效果，也为后期的分选包装及后续工序的使用造成了极大地影响。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出多晶硅清洗机。该多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果，提高产品质量、降低劳动强度。根据本技术的第一个方面，本技术提出了一种多晶硅清洗机。根据本技术的实施例，该多晶硅清洗机包括：本体，所述本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；惰性气体喷吹装置，所述惰性气体喷吹装置包括：输气管道，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽上方；多个风刀喷口，多个所述风刀喷口设在所述输气管道上并沿所述输气管道的走向间隔分布，且多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域。本技术上述实施例的多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且对多晶硅进行清洗时，可以通过喷吹惰性气体在最易发生氧化的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽上方及二者的中间位置和边缘区域形成惰性气体正压环境，显著减少或杜绝多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的，有效解决了多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题。具体地，采用该多晶硅清洗机对多晶硅进行清洗后，物料表面黑、黄色氧化点明显降低，95％的物料清洗后表面无氧化点，达到了一级块料标准；并且，采用该多晶硅清洗机可以大大提高对表面沾污的多晶硅物料的处理能力和处理效果，使后期分选难度降低90％以上。另外，根据本技术上述实施例的多晶硅清洗机还可以具有如下附加的技术特征：在本技术的一些实施例中，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽区域；或者，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽区域。任选地，相邻两个所述风刀喷口的水平间距为60～120mm。任选地，多个所述风刀喷口沿所述输气管道的走向均匀分布。任选地，所述风刀喷口为扇形风刀喷口。任选地，所述风刀喷口的喷吹方向与竖直方向的夹角不大于60度。任选地，所述输气管路呈直线、曲线、U形、回形、矩形或椭圆形布置。任选地，所述惰性气体喷吹装置包括多根平行分布的输气管道。任选地，相邻两根所述输气管道的管间距为500～700mm。任选地，所述输气管道与所述酸腐蚀槽和/或所述第一快速冲洗槽之间的垂直距离为600～900mm；或者，所述输气管道与所述酸腐蚀槽和/或所述第一快速冲洗槽和/或所述第二快速冲洗槽和/或所述纯水过渡槽之间的垂直距离为600～900mm。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是根据本技术一个实施例的多晶硅清洗机的结构示意图。图2是根据本技术再一个实施例的多晶硅清洗机的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。专利技术人发现，现有的多晶硅清洗机中，多晶硅经过酸洗后用机械手抓取放入快速冲洗槽，由于清洗机是不完全封闭的，存在空气，经过酸洗后的多晶硅料用机械手抓取放入快速冲洗槽，在转运过程所需的固有时间内(例如6s)，暴露在空气中的硅料会发生氧化，本技术中通过在清洗机中增加惰性气体喷吹装置可以保持清洗机内部为惰性气体微正压环境或局部微正压环境，从而防止硅料氧化。根据本技术的第一个方面，本技术提出了一种多晶硅清洗机。根据本技术的实施例，如图1所示，该多晶硅清洗机包括：本体100和惰性气体喷吹装置200，惰性气体喷吹装置200包括输气管道210和多个风刀喷口220。该多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且能完全解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料的二次污染的问题。下面参考图1～2对本技术的多晶硅清洗机进行详细描述。本体100根据本技术的实施例，本体100内设有机械手110和顺序布置的酸腐蚀槽120、第一快速冲洗槽130、第二快速冲洗槽140和纯水过渡槽150。由此对多晶硅进行清洗时，可以利用机械手将多晶硅先送入酸腐蚀槽进行酸洗，酸洗后再送入第一快速冲洗槽去除表面的酸液，然后再依次经过第二快速冲洗槽和纯水过渡槽。根据本技术的一个具体实施例，纯水过渡槽150的出口可以位于本体100外，以便更有利于将清洗后的多晶硅物料输出；本体100的中下部靠近机械手110和酸腐蚀槽120处设有上料台160，通过上料台160将多晶硅物料转移至多晶硅清洗机中进行清洗。根据本技术的再一个具体实施例，本体100可以进一步包括观测窗170，观测窗170可以设在本体100中上部的侧壁上，由此可以在清洗机外部直接监测多晶硅的清洗进度和清洗效果。惰性气体喷吹装置200根据本技术的实施例，惰性气体喷吹装置200包括输气管道210和多个风刀喷口220，输气管道210伸入本体100内并延伸至酸腐蚀槽120和第一快速冲洗槽130上方；多个风刀喷口220设在输气管道210上并沿输气管道220的走向间隔分布，且多个风刀喷口220分别独立地朝向酸腐蚀槽120和第一快速冲洗槽130区域。由此，在多晶硅的清洗流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅清洗机，其特征在于，包括：/n本体，所述本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；/n惰性气体喷吹装置，所述惰性气体喷吹装置包括：/n输气管道，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽上方；/n多个风刀喷口，多个所述风刀喷口设在所述输气管道上并沿所述输气管道的走向间隔分布，且多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅清洗机，其特征在于，包括：
本体，所述本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；
惰性气体喷吹装置，所述惰性气体喷吹装置包括：
输气管道，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽上方；
多个风刀喷口，多个所述风刀喷口设在所述输气管道上并沿所述输气管道的走向间隔分布，且多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域。


2.根据权利要求1所述的多晶硅清洗机，其特征在于，
所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽区域；或者，
所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽区域。


3.根据权利要求1或2所述的多晶硅清洗机，其特征在于，相邻两个所述风刀喷口的水平间距为60～12...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉，曲宏波，刘应全，张潼，蔡爱梅，张征，张邦洁，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，中国恩菲工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41