【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法。
技术介绍
1、钟罩式反应器作为棒状碳化硅的生长容器，在反应器内载体以门字型或者u型结构安置在底盘上，每一对棒体有两根竖直段构成。棒体表面始终维持在900-1600℃的特定反应温度下，在每对棒体之间按照等间距布置进料口，将冷态的物料送入反应炉腔内。生长碳化硅棒体的期间，各棒体表面不断向外发生热辐射作用，在棒体表面附近其热对流作用加剧，物料气体不断受到棒体的加热，棒体表面区域的气体温度不断升高，尤其是每对棒体的中间区域，即门字型中间区域，同时受到两侧棒体的辐射和热对流加热，该区域的气氛温度最高。
2、由于门字型载体内部的气氛温度高，导致气氛中的物料极易在该区域发生均相反应形成细小的粉尘颗粒，即所谓的雾化现象。雾化形成的碳化硅颗粒为微米和亚微米尺寸，容易悬浮在气氛中，造成炉内气氛可见度下降，对炉内现象的观察和控制造成视觉干扰，同时雾化形成的粉尘不易搜集，将随着反应尾气进入后续的尾气回收系统，不仅造成物料浪费，同时对后端的尾气回收工序的稳定性造成影响...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，包括：罩体和底盘；所述底盘与所述罩体的底端密封配合以形成沉积空间；所述底盘上至少布置有多个第一电极和多个第二电极，多个所述第一电极形成第一电极环，多个所述第二电极形成第二电极环，所述第二电极环包围所述第一电极环，所述第一电极上对应设置有第一棒体，相邻的两个所述第一棒体的顶端通过第一横向棒体连接，所述第二电极上对应设置有第二棒体，相邻的两个所述第二棒体的顶端通过第二横向棒体连接；
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所有的所述第一冷态阀门由所述控制单元统一控制，或者各所述第一冷态阀门由所述控制单元分
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，包括：罩体和底盘；所述底盘与所述罩体的底端密封配合以形成沉积空间；所述底盘上至少布置有多个第一电极和多个第二电极，多个所述第一电极形成第一电极环，多个所述第二电极形成第二电极环，所述第二电极环包围所述第一电极环，所述第一电极上对应设置有第一棒体，相邻的两个所述第一棒体的顶端通过第一横向棒体连接，所述第二电极上对应设置有第二棒体，相邻的两个所述第二棒体的顶端通过第二横向棒体连接；
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所有的所述第一冷态阀门由所述控制单元统一控制，或者各所述第一冷态阀门由所述控制单元分别控制；
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所有的所述第一冷态进口管路通过单一总管线进行控制，并配合所述第一冷态进口管路的喷嘴孔径进行气量分配；
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述冷态气体包括氢气或者氩气。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉...
【专利技术属性】
技术研发人员：万烨，张邦洁，陈辉，常卓明，刘见华，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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