【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置。
技术介绍
1、钟罩式反应器是一种常用的cvd沉积装置，应用于电子级多晶硅、碳化硅晶体的生长。在反应器内设置有若干载体，底盘上设置若干进气口和出气口。原料气通过进气口进入反应炉腔内，在炉腔中发生气相反应和沉积反应。
2、这种方式的缺点也很明显，物料从进料口进入后，在炉腔内迅速发散，大部分新鲜物料未能与载体有效接触发生沉积反应，仅少部分物料到达载体表面，导致钟罩式反应器内的物料利用率不充分，造成原料的浪费。
3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种碳化硅晶体沉积装置，以克服现有沉积装置原料利用率低的技术问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供的碳化硅晶体沉积装置，包括：筒体和底盘；所述底盘与所述筒体的底端密封配合以形成沉积空间；
3、所述沉积空间内设置有第一罩体，所...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，包括：筒体和底盘；所述底盘与所述筒体的底端密封配合以形成沉积空间；
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述第一罩体的侧壁还设置有增强孔，所述增强孔位于所述出气孔的上方，所述增强孔的出气角度对应所述第一罩体外围的所述电极组件的横梁拐角位置。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述增强孔的直径大于所述出气孔的直径；
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述曲面结构的形状为倒锥形或者半球形。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，包括：筒体和底盘；所述底盘与所述筒体的底端密封配合以形成沉积空间；
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述第一罩体的侧壁还设置有增强孔，所述增强孔位于所述出气孔的上方，所述增强孔的出气角度对应所述第一罩体外围的所述电极组件的横梁拐角位置。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述增强孔的直径大于所述出气孔的直径；
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述曲面结构的形状为倒锥形或者半球形。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，所述进料喷嘴的出口正对着所述曲面结构的最低点，且所述进料喷嘴的出口与所述曲面结构的最低点之间的间距为1cm~5cm。
6.根据权利要求2所述的碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：万烨，张邦洁，陈辉，常卓明，刘见华，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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