【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种硅片及硅片的形成方法。
技术介绍
1、单晶硅衬底材料是集成电路产业中最广泛的材料之一。在制备硅衬底或者器件的工艺制程中，由于硅片耐温差能力有限，高温热处理工艺会使得硅衬底边缘容易产生滑移缺陷(slip)。如果再增加机械应力(压力或张力)，滑移线会在衬底硅片边缘的产生、高温下的延伸、复制更会急剧增加。硅片的边缘形成有滑移缺陷，滑移缺陷可以严重侵入硅片内部。滑移缺陷一方面会导致硅片力学性能下降：如硅片强度、韧性、硬度等，会使得晶体发生变形和断裂；另一方面也会使得电学性能下降：滑移缺陷可作为杂质的俘获中心，影响硅片电阻率、载流子寿命以及漏电流等等，从而会影响硅片质量乃至影响器件性能。因此，减少滑移缺陷的产生是至关重要的。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种硅片及硅片的形成方法，以解决滑移缺陷导致硅片力学性能和电学性能下降的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅片，所述硅片包括边缘区域且在所述边缘区域的边缘处形成有滑移缺陷，所...
【技术保护点】
1.一种硅片，其特征在于，所述硅片包括边缘区域且在所述边缘区域的边缘处形成有滑移缺陷，所述边缘区域内具有一BMD圈，所述BMD圈位于所述滑移缺陷内侧，以阻挡所述边缘区域的滑移缺陷沿所述硅片的边缘至所述硅片的中心的方向传播。
2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述BMD圈的宽度大于等于3mm，自所述硅片边缘至所述硅片的中心方向分布。
3.根据权利要求2所述的硅片，其特征在于，所述BMD圈中BMD的密度大于E+8ea/cm3。
4.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述BMD圈中的氧沉淀的尺寸为20nm至200nm。
...【技术特征摘要】
1.一种硅片，其特征在于，所述硅片包括边缘区域且在所述边缘区域的边缘处形成有滑移缺陷，所述边缘区域内具有一bmd圈，所述bmd圈位于所述滑移缺陷内侧，以阻挡所述边缘区域的滑移缺陷沿所述硅片的边缘至所述硅片的中心的方向传播。
2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述bmd圈的宽度大于等于3mm，自所述硅片边缘至所述硅片的中心方向分布。
3.根据权利要求2所述的硅片，其特征在于，所述bmd圈中bmd的密度大于e+8ea/cm3。
4.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述bmd圈中的氧沉淀的尺寸为20nm至200nm。
5.一种硅片的形成方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的硅片的形成方法，其特征在于，调整晶体拉速和边缘温度梯度以形成空位型边缘晶体缺陷。
7.根据权利要求6所述的硅片的形成方法，其特征在于，所述晶体拉速为0.4mm/min至1.2mm/min。
8.根据权利要求6所述的硅片的形成方法，其特征在于，调整热屏与熔体液面距离、晶体转速和氩气流量以调整所述边缘温度梯度。
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘赟，庹欢，魏星，薛忠营，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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