温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供硅片及硅片的形成方法，硅片用于半导体器件大规模集成电路和/或同质及异质半导体材料外延生长，通过在硅片的边缘区域形成一BMD圈，BMD圈位于滑移缺陷内侧，BMD圈能够有效地钉扎滑移缺陷的移动，从而阻挡硅片边缘的滑移缺陷的沿硅片边缘至...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。