【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】掩模粘接剂及具备其的防护膜组件
本专利技术涉及一种用以将防护膜组件粘接于掩模的粘接剂及具备所述粘接剂的防护膜组件。
技术介绍
在大规模集成电路(LargeScaleIntegratedcircuit,LSI)、超LSI等半导体装置或液晶显示板等的制造工序中,通过隔着掩模(也称为曝光原板(exposureoriginalplate)、光罩(reticle))对感光层等照射光来进行图案化。此时,若异物附着于掩模,则光被异物吸收,或在异物表面光发生反射而弯曲。其结果,产生如下问题:所形成的图案发生变形或边缘变得粗糙而损及图案化后的尺寸、质量及外观等。为了消除这些问题,采用如下方法:在掩模的表面安装具备透射光的防护膜的防护膜组件来抑制异物的附着。防护膜组件通常包括金属制的防护膜框架、以及配置于该防护膜框架的一端面的防护膜。另一方面,在防护膜框架的另一端面形成有用以将防护膜组件固定于掩模的掩模粘接剂层。而且,在将防护膜组件安装于掩模时,将该掩模粘接剂层压接于掩模的预定位置来进行固定。此处,作为用以将防护膜组件粘接于掩模 ...
【技术保护点】
1.一种掩模粘接剂,其包含:/n在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为-20℃~30℃的热塑性弹性体A 100质量份、/n增粘树脂B 20质量份~150质量份、及/n加工油C 20质量份~150质量份,且/n所述热塑性弹性体A为选自由苯乙烯系热塑性弹性体、(甲基)丙烯酸酯系热塑性弹性体及烯烃系热塑性弹性体所组成的组中的至少一种,/n所述加工油C的石蜡烃碳的比例%CP与环烷烃碳的比例%CN的合计为50%以上,/n所述掩模粘接剂在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为-10℃~30℃,且硫含量为300μg/g以下。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0670061.一种掩模粘接剂,其包含:
在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为-20℃~30℃的热塑性弹性体A100质量份、
增粘树脂B20质量份~150质量份、及
加工油C20质量份~150质量份,且
所述热塑性弹性体A为选自由苯乙烯系热塑性弹性体、(甲基)丙烯酸酯系热塑性弹性体及烯烃系热塑性弹性体所组成的组中的至少一种,
所述加工油C的石蜡烃碳的比例%CP与环烷烃碳的比例%CN的合计为50%以上,
所述掩模粘接剂在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为-10℃~30℃,且硫含量为300μg/g以下。
2.如权利要求1所述的掩模粘接剂,其中,
所述加工油C的硫含量为2000μg/g以下。
3.如权利要求1所述的掩模粘接剂,其中,
所述加工油C中的石蜡烃碳的比例%CP为50%以上。
4.如权利要求1所述的掩模粘接剂,其中,
所述加工油C包含石蜡烃系加工油C1,
所述石蜡烃系加工油C1的数均分子量为300~1500。
5.如权利要求4所述的掩模粘接剂,其中,
所述石蜡烃系加工油C1在40℃时的动态粘度为50mm2/s~400mm2/s。
技术研发人员:美谷岛恒明,种市大树,
申请(专利权)人:三井化学株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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