【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般性涉及超导磁系统，并且更具体地涉及用于超导磁体的局部梯度屏蔽环。
技术介绍
在一个例子中，MR系统包括冷质(cold mass)(包含超导磁体)、磁线圈支撑结构和氦管(helium vessel)容器。如本领域技术人员理解的，包含在氦管中的液氦为超导磁体提供冷却，并且为了超导操作而维持超导体处于低温。液氦将超导磁体大约和/或基本维持在4.2开氏温度(K)的液氦温度。为了热隔离，包含液氦的氦管在一个例子中包括真空管中的压力管。MR超导磁体通常包括若干线圈，产生在成像空间的均衡B0场的一组主线圈，和限制磁体的边缘场的去磁线圈。这些线圈缠绕诸如NbTi或Nb3Sn导体的超导体。磁体被冷却到液氦温度(4.2K)，以使得所述导体在它们的超导状态下工作。磁体的热负荷，诸如由来自环境的辐射和传导产生的热，通过“开放系统”中的液氦的蒸发，或“封闭系统”中的4K冷却器(cryocooler)来消除。磁体通常被放置在低温保持器中以最小化其热负荷，因为液氦的置换是昂贵的并且冷却器的冷却功率是有限的。如果线圈暴露到AC场，诸如由MR系统的梯度线圈产生的AC场，超导体中产...
【技术保护点】
一种屏蔽线圈装置，包括： 构成封闭的传导路径并且具有定位于沿着ＭＲ系统（１０）的第一超导磁线圈（７０）的部分的多个弧（９２，９４，１１０，１１２，１１６，１１８，１３６，１３８，１５４，１５６，１６４，１６６，１７０，１７２，１８２，１８４）的超导线（７５），该多个弧（９２，９４，１１０，１１２，１１６，１１８，１３６，１３８，１５４，１５６，１６４，１６６，１７０，１７２，１８２，１８４）配置为与由第一方向的磁场梯度（Ｇ↓［ｘ］，Ｇ↓［ｙ］，Ｇ↓［ｚ］）产生的梯度磁场磁耦合，以便局部屏蔽第一超导磁线圈（７０）。
【技术特征摘要】
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