【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路的测试
,具体涉及一种集成电路高温动态 老化测试方法及测试装置。
技术介绍
目前的集成电路高温动态老化(HT0L)测试通常需根据芯片的不同封装选 用不同的老化板来进行。这种方式的主要缺陷在于(l)针对不同封装形式产 品订制专用的老化板,准备的周期很长;(2)若产品是BGA封装,或封装形式 比较特殊的QFN,那么购买80ea socket用来测试耗资巨大,测试成本极高;(3) 老化的读点与终点进行功能测试时会占用大量ATE机时。针对上述专用老化板 测试方式的不足,目前也出现了一种采用通用板进行老化测试的方式。这种通 用板将测试应用电路设置在每一个插座的底面,相同包装型式的产品均可配合 DUT卡共同使用,并可以在DUT卡上作测试周边电路,但由于这种通用老化板须 配合制作DUT卡,成本较高,对于那些产品单价低且测试线路简单的客户较难 接受。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足,在保证测试准确性的前提下, 提供一种适用于多种封装产品的通用集成电路高温动态老化测试方法及测试 装置,从而降低测试周期,节约测试成本。本专利技术的技术方 ...
【技术保护点】
一种集成电路高温动态老化测试方法,包括如下步骤:(1)将集成电路焊接在老化子板上,并对老化子板进行功能验证测试和动态工作模式测试;(2)将测试通过的焊有集成电路的老化子板插接在通用老化板的接口插座上,将通用老化板接入老化测试 系统中,进行老化测试;(3)根据测试标准,在不同的时间点对老化子板进行功能验证测试和动态工作模式测试,以证明集成电路是否仍能正常工作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:宋鑫欣,万水明,隋红丽,孟丽芳,
申请(专利权)人:北京中星微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:11[]
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