一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉积AlO

【技术实现步骤摘要】
一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能，在光伏领域占据着重要的地位。因此，研发高性能的硅太阳能电池已经成为各国光伏企业的主要研究方向。近年来，热辅助光致衰减(LightandelevatedTemperatureInducedDegradation，LETID)越来越受到光伏行业的重视。在光和热综合作用下，晶体硅电池封装组件的输出功率明显下降，影响光伏电站的发电量。为了保证光伏电站的发电能力，势必要减少晶体硅电池的热辅助光致衰减。晶体硅电池中氢元素过量的情况下，电池中氢元素的浓度越高，晶体硅光伏电池的热辅助光致衰减越明显。而现有技术中，晶体硅电池中的氢元素主要主要来自于SiNx层的制备工序，SiNx层是利用等离子增强化学气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/nS1、对P型单晶硅片的正面制绒，在所述正面形成陷光绒面；/nS2、在所述P型单晶硅片的正面进行磷扩散形成磷掺杂面，形成PN结作为选择性发射极；/nS3、清洗所述P型单晶硅片的背面的氧化层，并利用强酸或强碱溶液抛光所述背面，所述背面为电池的非磷掺杂面；/nS4、对所述P型单晶硅片的背面进行氧化，形成SiO

【技术特征摘要】
1.一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1、对P型单晶硅片的正面制绒，在所述正面形成陷光绒面；
S2、在所述P型单晶硅片的正面进行磷扩散形成磷掺杂面，形成PN结作为选择性发射极；
S3、清洗所述P型单晶硅片的背面的氧化层，并利用强酸或强碱溶液抛光所述背面，所述背面为电池的非磷掺杂面；
S4、对所述P型单晶硅片的背面进行氧化，形成SiO2氧化层；
S6、所述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在所述背面沉积AlOx层；
S7、在所述正面和背面沉积SiNx层；
S8、对所述P型单晶硅片进行退火工艺；
S9、在所述背面开槽；
S10、在所述正面和背面形成金属电极。


2.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S8中的退火工艺采用管式退火炉，退火温度500-800摄氏度，退火时间1-30分钟。


3.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述S1之前还包括去除硅片表面杂质及机械损伤。


4.根据权利要求1所述的降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P型单晶硅片包括P型硅片、P型硅片经过硼重掺后的P+硅片以及N型硅片经过硼掺杂后的P型硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智，魏青竹，倪志春，钱洪强，连维飞，张树德，赵保星，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32