一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构制造技术

技术编号:26306368 阅读:42 留言:0更新日期:2020-11-10 20:05
本发明专利技术提供了一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构,导磁套筒结构设置在离子源的放电通道的底部,导磁套筒结构包括内导磁套筒、环形导磁板、外导磁套筒和防护罩,内导磁套筒和外导磁套筒同轴嵌套布置,且内导磁套筒的底部与外导磁套筒的底部平齐设置,内导磁套筒的底部与外导磁套筒的底部之间通过环形导磁板连接,内导磁套筒、环形导磁板和外导磁套筒同材质且一体成型设置;防护罩固定在内导磁套筒的顶部,且覆盖内导磁套筒的上端口,在环形导磁板上开设有两个安装孔。本发明专利技术解决现有离子源放电通道底部受等离子体回流侵蚀严重以及近阳极区磁场强度过大导致的高电压工况下阳极表面热沉积严重,且通道内无法实现磁场正梯度放电的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构
本专利技术属于离子源
,尤其是涉及一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构。
技术介绍
近年来,高尖端工业产品对于材料加工的精密度要求日益提高,尤其是材料的镀膜工艺,以往传统的电子束热蒸发和电阻热蒸发沉积技术越来越难以满足工业需求,因此人们开始将目光投向用于航天推进的等离子体技术。传统的电子束热蒸发沉积镀膜是利用加速电子轰击镀膜材料,使之加热蒸发,并沉积于基片上成膜,由于电子束加热能够获得极高的能量密度,因此该方法可以制备多种金属镀膜,且具有较高的纯度和精度,然而由该方法也有着易脱落、镀膜质量差等缺点。为了克服以上缺点,人们开始逐渐将等离子体技术与传统镀膜技术相结合,从而形成了离子束辅助沉积镀膜技术,在电子束对镀材热蒸发产生气相进行沉积镀膜的同时,离子源产生一定能量的离子束进行轰击混合,以达到镀膜改性,增强附着力的目的。同时,镀膜前离子源还可对基片进行轰击溅射清洗,去除基片表面氧化层或污染物来活化基片。传统离子源等离子空间分布均匀性很强,能够实现在单位时间内对更大面积进行镀膜,但由于其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构,其特征在于:所述导磁套筒结构设置在离子源的放电通道的底部,所述的导磁套筒结构包括内导磁套筒(1)、环形导磁板(3)、外导磁套筒(4)和防护罩(2),所述的内导磁套筒(1)和外导磁套筒(4)同轴嵌套布置,且内导磁套筒(1)的底部与外导磁套筒(4)的底部平齐设置,所述的内导磁套筒(1)的底部与外导磁套筒(4)的底部之间通过环形导磁板(3)连接,所述的内导磁套筒(1)、环形导磁板(3)和外导磁套筒(4)同材质且一体成型设置;所述的防护罩(2)固定在内导磁套筒(1)的顶部,且覆盖内导磁套筒(1)的上端口,在环形导磁板(3)上开设有两个安装孔(5),且两个安装...

【技术特征摘要】
1.一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构,其特征在于:所述导磁套筒结构设置在离子源的放电通道的底部,所述的导磁套筒结构包括内导磁套筒(1)、环形导磁板(3)、外导磁套筒(4)和防护罩(2),所述的内导磁套筒(1)和外导磁套筒(4)同轴嵌套布置,且内导磁套筒(1)的底部与外导磁套筒(4)的底部平齐设置,所述的内导磁套筒(1)的底部与外导磁套筒(4)的底部之间通过环形导磁板(3)连接,所述的内导磁套筒(1)、环形导磁板(3)和外导磁套筒(4)同材质且一体成型设置;所述的防护罩(2)固定在内导磁套筒(1)的顶部,且覆盖内导磁套筒(1)的上端口,在环形导磁板(3)上开设有两个安装孔(5),且两个安装孔(5)分别用于离子源阳极导电柱和导气柱的安装,两个安装孔(15)间隔180°布置在环形导磁板(3)上。


2.根据权利要求1所述的一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构,其特征在于:所述内导磁套筒(1)与防护罩(2)之间焊接连接。


3.根据权利要求2所述的一种具有防护功能的离子源的导...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁永杰魏立秋李鸿唐井峰于达仁
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学哈工大机器人岳阳军民融合研究院
类型:发明
国别省市:黑龙江;23

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