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一种耐热的半导体制造技术

技术编号:26291836 阅读:38 留言:0更新日期:2020-11-10 19:10
本实用新型专利技术公开了一种耐热的半导体,包括半导体主体,所述半导体主体的顶部和底部均设置有耐热层,所述耐热层远离半导体主体的一侧设置有阻热层,所述阻热层远离耐热层的一侧设置有抗氧化层,所述耐热层包括聚对二甲苯涂层,所述聚对二甲苯涂层远离耐热层的一侧设置有聚芳醚酮结晶聚合物层。本实用新型专利技术通过设置半导体主体、耐热层、聚对二甲苯涂层、聚芳醚酮结晶聚合物层、阻热层、碳纤维层、玻璃纤维层、抗氧化层、碳化硅层和氧化锌层的相互配合,达到了耐热效果好的优点,解决了现有的半导体耐热效果差的问题,当半导体在长期使用过程中,不会因温度过高降低其使用性能,不会造成高温损坏,不增加使用成本,方便人们使用。

【技术实现步骤摘要】
一种耐热的半导体
本技术涉及半导体
,具体为一种耐热的半导体。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用,如二极管就是采用半导体制作的器件,无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。目前现有的半导体,耐热效果差,当半导体在长期使用过程中,容易因温度过高降低其使用性能,造成高温损坏,增加使用成本,不方便人们使用。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足,本技术提供了一种耐热的半导体,具备耐热效果好的优点,解决了现有的半导体耐热效果差的问题。(二)技术方案为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种耐热的半导体,包括半导体主体,所述半导体主体的顶部和底部均设置有耐热层,所述耐热层远离半导体主体的一侧设置有阻热层,所述阻热层远离耐热层的一侧设置有抗氧化层。优选的,所述耐热层包括聚对二甲苯涂层,所述聚对二甲苯涂层远离耐热层的一侧设置有聚芳醚酮结晶聚合物层。优选的,所述阻热层包括碳纤维层,所述碳纤维层远离阻热层的一侧设置有玻璃纤维层。优选的,所述抗氧化层包括碳化硅层,所述碳化硅层远离抗氧化层的一侧设置有氧化锌层。优选的,所述耐热层的厚度与阻热层的厚度相同,所述抗氧化层的厚度小于耐热层的厚度和阻热层的厚度。(三)有益效果与现有技术相比,本技术提供了一种耐热的半导体,具备以下有益效果:1、本技术通过设置半导体主体、耐热层、聚对二甲苯涂层、聚芳醚酮结晶聚合物层、阻热层、碳纤维层、玻璃纤维层、抗氧化层、碳化硅层和氧化锌层的相互配合,达到了耐热效果好的优点,解决了现有的半导体耐热效果差的问题,当半导体在长期使用过程中,不会因温度过高降低其使用性能,不会造成高温损坏,不增加使用成本,方便人们使用。2、本技术通过设置耐热层,对半导体主体在使用时起到了耐高温效果好的作用,通过设置阻热层,对半导体主体在使用时起到了阻止热量传导的作用,通过设置抗氧化层,对半导体主体在使用时起到了耐腐蚀效果好的作用。附图说明图1为本技术结构示意图;图2为本技术耐热层剖面图;图3为本技术阻热层剖面图;图4为本技术抗氧化层剖面图。图中:1、半导体主体;2、耐热层;21、聚对二甲苯涂层;22、聚芳醚酮结晶聚合物层;3、阻热层;31、碳纤维层;32、玻璃纤维层;4、抗氧化层;41、碳化硅层;42、氧化锌层。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合附图对本技术进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本技术的保护范围有任何的限制作用。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂,而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平,并不是表示该结构一定要完全水平,而是可以稍微倾斜。在本技术的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。请参阅图1-4,一种耐热的半导体,包括半导体主体1,半导体主体1的顶部和底部均设置有耐热层2,通过设置耐热层2,对半导体主体1在使用时起到了耐高温效果好的作用,耐热层2的厚度与阻热层3的厚度相同,抗氧化层4的厚度小于耐热层2的厚度和阻热层3的厚度,耐热层2包括聚对二甲苯涂层21,聚对二甲苯涂层21远离耐热层2的一侧设置有聚芳醚酮结晶聚合物层22,耐热层2远离半导体主体1的一侧设置有阻热层3,通过设置阻热层3,对半导体主体1在使用时起到了阻止热量传导的作用,阻热层3包括碳纤维层31,碳纤维层31远离阻热层3的一侧设置有玻璃纤维层32,阻热层3远离耐热层2的一侧设置有抗氧化层4,通过设置抗氧化层4,对半导体主体1在使用时起到了耐腐蚀效果好的作用,抗氧化层4包括碳化硅层41,碳化硅层41远离抗氧化层4的一侧设置有氧化锌层42,通过设置半导体主体1、耐热层2、聚对二甲苯涂层21、聚芳醚酮结晶聚合物层22、阻热层3、碳纤维层31、玻璃纤维层32、抗氧化层4、碳化硅层41和氧化锌层42的相互配合,达到了耐热效果好的优点,解决了现有的半导体耐热效果差的问题,当半导体在长期使用过程中,不会因温度过高降低其使用性能,不会造成高温损坏,不增加使用成本,方便人们使用。使用时,通过设置聚对二甲苯涂层21和聚芳醚酮结晶聚合物层22,对半导体主体1在使用时起到了耐高温效果好的作用,通过设置碳纤维层31和玻璃纤维层32,对半导体主体1在使用时起到了阻止热量传导的作用,通过设置碳化硅层41和氧化锌层42,对半导体主体1在使用时起到了耐腐蚀效果好的作用,当半导体在长期使用过程中,不会因温度过高降低其使用性能,不会造成高温损坏,不增加使用成本,方便人们使用。本申请文件中所有的部件,根据说明书和附图的记载均可以进行订制,本申请文件中各层之间的连接关系和具体结构均采用现有技术,诸如通过机械方法、通过粘合剂、通过各种焊接方法(诸如热焊接、超声焊接、熔剂、焊接、以及机械焊接)在此不再作出具体叙述,本申请文件中所有部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件,其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述,以上实例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想。以上仅是本技术的优选实施方式,应当指出,由于文字表达的有限性,而客观上存在无限的具体结构,对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种耐热的半导体,包括半导体主体(1),其特征在于:所述半导体主体(1)的顶部和底部均设置有耐热层(2),所述耐热层(2)远离半导体主体(1)的一侧设置有阻热层(3),所述阻热层(3)远离耐热层(2)的一侧设置有抗氧化层(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种耐热的半导体,包括半导体主体(1),其特征在于:所述半导体主体(1)的顶部和底部均设置有耐热层(2),所述耐热层(2)远离半导体主体(1)的一侧设置有阻热层(3),所述阻热层(3)远离耐热层(2)的一侧设置有抗氧化层(4)。


2.根据权利要求1所述的一种耐热的半导体,其特征在于:所述耐热层(2)包括聚对二甲苯涂层(21),所述聚对二甲苯涂层(21)远离耐热层(2)的一侧设置有聚芳醚酮结晶聚合物层(22)。


3.根据权利要求1所述的一种耐热的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员:李进军
申请(专利权)人:李进军
类型:新型
国别省市:河南;41

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