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本实用新型公开了一种耐热的半导体，包括半导体主体，所述半导体主体的顶部和底部均设置有耐热层，所述耐热层远离半导体主体的一侧设置有阻热层，所述阻热层远离耐热层的一侧设置有抗氧化层，所述耐热层包括聚对二甲苯涂层，所述聚对二甲苯涂层远离耐热层的一...
该专利属于李进军所有，仅供学习研究参考，未经过李进军授权不得商用。

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