一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法，制备方法包括：在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构；完成器件及电路制备；InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合；对InP衬底背面选择性去除直至停止层；通过滚轴压印的方法实现InP HBT外延层背面与柔性衬底贴合；通过加热的方法加强InP HBT外延层背面与柔性衬底的贴合；将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性衬底InP HBT器件。本发明专利技术通过外延层剥离和滚轴压印的方式，实现大面积柔性衬底InP HBT器件的制备，该制备方法能够与现有化合物半导体工艺和微纳加工工艺兼容，具备批量化制备潜力。

【技术实现步骤摘要】
一种大面积柔性衬底InPHBT器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种大面积柔性衬底InPHBT器件及其制备方法。
技术介绍
InPHBT具有优异的频率特性、良好的器件一致性以及击穿特性，是实现超高速、超高频电路的最佳选择，在无线通信、高频传输等方面具有重要的应用前景。通常InPHBT器件制备在刚性的InP衬底外延片上，而且InP衬底极为易碎，一定程度上制约了InPHBT器件的发展。如果InPHBT器件具有可拉伸、可延展等柔性特点，则其将具有更大的灵活性，能够适应非平面、小体积等不同复杂的工作环境，满足未来电子信息设备小型化、高集成化和智能化的发展需求。针对刚性衬底电子器件的柔性化需求，国际上主流方法是将刚性衬底薄膜化，使其具有弯曲、延展等柔性特性，然后再将其直接贴附到PDMS、PI、PET等高分子聚合物柔性衬底上。这种方式还存在许多问题有待解决，例如柔性衬底与半导体晶体管器件之间的界面接触不紧密，界面性质不稳定等问题，导致器件性能在柔性衬底上及大变形环境下性能退化甚至失效。此外目前公开报道的所有超高速、超高频柔性电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大面积柔性衬底InP HBT器件，其特征在于，包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上的热固性粘附层和InP HBT器件，带有热固性粘附层的柔性衬底通过滚轴压印的方法与InP HBT器件贴合。/n

【技术特征摘要】
1.一种大面积柔性衬底InPHBT器件，其特征在于，包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上的热固性粘附层和InPHBT器件，带有热固性粘附层的柔性衬底通过滚轴压印的方法与InPHBT器件贴合。


2.根据权利要求1所述的大面积柔性衬底InPHBT器件，其特征在于，所述的柔性衬底为柔性金属、聚酰亚胺、聚乙烯乙二醇或聚对苯二甲酸乙二醇酯；所述的热固性粘附层材料为苯并环丁烯或高温蜡。


3.一种制备大面积柔性衬底InPHBT器件的方法，其特征在于，包括以下步骤；
1)InP衬底上正向生长带有停止层的InPHBT外延片；
2)在带有停止层的InPHBT外延片上完成器件及电路制备；
3)在临时载片正面旋涂可逆临时键合材料；
4)将完成电路工艺的InPHBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合；
5)对InP衬底背面进行选择性去除直至停止层；
6)将带有热固性粘附层的柔性衬底通过滚轴压印的方法实现InPHBT外延层背面与柔性衬底贴合；
7)通过加热的方法加强InPHBT外延层背面与柔性衬底的贴合；
8)将InPHBT外延层与临时载片分离，得到柔性衬底InPHBT器件。


4.根据权利要求3所述的大面积柔性衬底InPHBT器件的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述InP衬底为半绝缘衬底，停止层材料为InGaAs或InGaP；InPHB...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴立枢，戴家赟，程伟，孔月婵，陈堂胜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32