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本发明公开了一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法，制备方法包括：在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构；完成器件及电路制备；InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合；对InP衬底背面选择性去除直至停止...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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