一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置，包括自上而下设置的石英材质空腔和石英台，且石英材质空腔和石英台之间夹持有热电偶；其中，石英材质空腔上设置有石英空腔冷却气入口和石英空腔冷却气出口，石英台开设有冷却水腔体，该冷却水腔体设置有石英台冷却水入水口和石英台冷却水出水口，石英材质空腔的上表面以及石英台的下表面上均设置有若干石英灯加热器主体。本发明专利技术利用基于水冷的石英灯辐射加热，对位于加热区内的试样快速升温进行加热与精确控温，并对达到目标温度的试样进行快速气冷冷却，同时还具有精确控温、可大面积加热、工作寿命长等优点，可面向半导体晶圆材料开展快速热处理，提高半导体晶圆材料的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置
本专利技术涉及一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置，具有精确控温、快速升降温、可大面积加热、工作寿命长等优点，同时还能够在不同气氛环境下进行退火热处理，可面向集成电路、通信系统等领域中常用的半导体晶圆材料开展快速退火热处理，有效提高对半导体晶圆材料的快速热处理能力，对半导体元件的生产加工具有重要价值。
技术介绍
集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域发展，使半导体器件重要性越发凸显。在半导体生产工艺中，热处理是半导体晶圆片经过注入工艺后必不可少的工序之一，例如用于激活注入的掺杂剂或改变材料的状态(或相)来增强所需的属性(例如导电性能)。但与此同时，高温会使已经进入硅片的杂质发生不希望的再分布，这种分布对小尺寸器件的影响极其严重。而减小杂质再分布的方法是快速热处理，即在极短的时间内使硅片表面加热到极高的温度(1200℃以上)，从而在较短的时间(10–3～102s)内完成热处理。为了获得性能更好的半导体晶圆材料，需要对半导体晶圆进行快速热处理(RTP)，因此，快速热处理设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置，其特征在于，包括自上而下设置的石英材质空腔(4)和石英台(9)，且石英材质空腔(4)和石英台(9)之间夹持有热电偶(12)；其中，/n石英材质空腔(4)上设置有石英空腔冷却气入口(5)和石英空腔冷却气出口(6)，石英台(9)开设有冷却水腔体，该冷却水腔体设置有石英台冷却水入水口(7)和石英台冷却水出水口(8)，石英材质空腔(4)的上表面以及石英台(9)的下表面上均设置有若干石英灯加热器主体(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置，其特征在于，包括自上而下设置的石英材质空腔(4)和石英台(9)，且石英材质空腔(4)和石英台(9)之间夹持有热电偶(12)；其中，
石英材质空腔(4)上设置有石英空腔冷却气入口(5)和石英空腔冷却气出口(6)，石英台(9)开设有冷却水腔体，该冷却水腔体设置有石英台冷却水入水口(7)和石英台冷却水出水口(8)，石英材质空腔(4)的上表面以及石英台(9)的下表面上均设置有若干石英灯加热器主体(3)。


2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置，其特征在于，该加热装置设置在石英材质主体(10)上。


3.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置，其特征在于，每个石英灯加热器主体(3)均包括石英灯主体，镶嵌在石英灯主体内的石英灯加热器(1)以及开设在石英灯主体背部的水冷槽(2)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王铁军，江鹏，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61