一种离子源的汽化器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种离子源的汽化器，包括有坩埚、壳体、电弧室，壳体内竖直向上设置有第一凹槽，侧面设置有加热器，坩埚底部向下与第一凹槽连接，坩埚顶部对应设置有盖体，盖体内设置有第一气体通道、排气孔，盖体的边缘垂直向下设置有环状挡板，环状挡板与坩埚之间形成第二气体通道、与壳体之间行成第三气体通道，第一气体通道、第二气体通道连通、第三气体通道依次连通，盖体上方设置有盖板，盖板与盖体之间形成第四气体通道，第三气体通道与第四气体通道连通，盖板上设置有与电弧室连接的气体喷嘴。本实用新型专利技术提供的一种离子源的汽化器，避免了冷凝会造成流向离子源的蒸汽量减少，冷凝引起的堵塞会阻止蒸汽流向离子源的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种离子源的汽化器
本技术涉及离子源
，尤其涉及一种离子源的汽化器。
技术介绍
现有技术中，离子源是用来生成用于执行各种半导体工艺(例如，离子植入)的离子的一种装置。在许多实施例中，掺杂剂物质常常是以气体形式被引入到离子源的电弧室中。掺杂剂物质接着被激发，例如由已经通过电势进行加速的高能电子进行激发或者由射频(radiofrequency，RF)能量进行激发，从而生成离子，这些离子接着以离子束的形式从电弧室被提取出；掺杂剂物质可为固体形式，在将掺杂剂物质用于离子源的电弧室之前所述固体被汽化；与汽化器相关的一个问题是冷凝，在对坩埚进行加热时，设置在其中的固体材料达到足以产生所述固体材料所需要的蒸汽压力的温度；当汽化的气体逸出坩埚时，所述气体可能会遇到温度比坩埚内的温度低的区。如果这一较低的温度比含有掺杂剂的固体材料的温度低，则蒸汽可能开始冷凝。冷凝会造成流向离子源的蒸汽量减少，冷凝引起的堵塞也会阻止蒸汽流向离子源。因此，对于上述问题的解决尤为重要。
技术实现思路
为解决现有技术的缺点和不足，提供一种离子源的汽化器，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子源的汽化器，其特征在于：包括有坩埚(1)、壳体(2)、电弧室(10)，所述壳体(2)内部竖直向上设置有第一凹槽(4)，所述坩埚(1)底部向下与第一凹槽(4)螺纹连接，所述坩埚(1)的顶部对应设置有盖体(5)，所述盖体(5)内设置有第一气体通道(14)，所述盖体(5)上设置有与所述第一气体通道(14)连通的排气孔(9)，所述盖体(5)的边缘垂直向下设置有环状挡板(6)，所述环状挡板(6)与坩埚(1)之间形成第二气体通道(7)、与壳体(2)之间行成第三气体通道(8)，所述第一气体通道(14)与第二气体通道(7)连通，所述第二气体通道(7)与第三气体通道(8)连通，所述盖体(5)正上方设...

【技术特征摘要】
1.一种离子源的汽化器，其特征在于：包括有坩埚(1)、壳体(2)、电弧室(10)，所述壳体(2)内部竖直向上设置有第一凹槽(4)，所述坩埚(1)底部向下与第一凹槽(4)螺纹连接，所述坩埚(1)的顶部对应设置有盖体(5)，所述盖体(5)内设置有第一气体通道(14)，所述盖体(5)上设置有与所述第一气体通道(14)连通的排气孔(9)，所述盖体(5)的边缘垂直向下设置有环状挡板(6)，所述环状挡板(6)与坩埚(1)之间形成第二气体通道(7)、与壳体(2)之间行成第三气体通道(8)，所述第一气体通道(14)与第二气体通道(7)连通，所述第二气体通道(7)与第三气体通道(8)连通，所述盖体(5)正上方设置有盖板(15)，所述盖板(15)与壳体(2)的开口契合，所述盖板(15)与盖体(5)之间形成第四气体通道(16)，所述第三气体通道(8)与第四气体通道(16)连通，所述盖板(15)上设置有气体喷嘴(3)，所述气体喷嘴(3)与第四气体通道(16)连通，所述气体喷嘴(3)下端与壳体(2)螺纹连接，另一端与电弧室(10)连接，所述壳体(2)的侧面设置有加热器(11)。


2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田文娟，
申请(专利权)人：山西大学，
类型：新型
国别省市：山西;14