一种半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体加工设备，用于对晶圆进行加工，所公开的半导体加工设备包括：真空互锁腔室；多个设备主体，设备主体包括传输平台，在传输平台的周向上排布有至少两个反应腔室；暂存通道，任意相邻的两个设备主体通过暂存通道相连通，暂存通道用于暂存晶圆；多个设备主体中的一者与真空互锁腔室相连，传输平台可在真空互锁腔室与反应腔室之间、暂存通道与真空互锁腔室之间以及暂存通道与反应腔室之间传送晶圆。上述方案能够解决半导体加工设备产能较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工设备
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体加工设备。
技术介绍
ALD(atomiclayerdeposition，原子层沉积)工艺和CVD(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)工艺为较为广泛地应用于半导体加工领域的工艺。但是，在半导体加工设备对结构较难的孔洞、沟槽或同种工艺且工艺时间较长(例如需要沉积膜厚度要求较厚的薄膜(大于100A))的晶圆进行加工时，ALD工艺或CVD工艺的工艺时间较长，且产出率较低，导致半导体的加工时间较长，从而严重影响半导体加工设备的产能，导致半导体设备的产能较低。
技术实现思路
本技术公开一种半导体加工设备，能够解决半导体加工设备产能较低的问题。为了解决上述问题，本技术采用下述技术方案：本技术实施例公开一种半导体加工设备，用于对晶圆进行加工，所述半导体加工设备包括：真空互锁腔室；多个设备主体，所述设备主体包括传输平台，在所述传输平台的周向上排布有至少两个反应腔室；暂存通道，任意相邻的两个所述设备主体通过所述暂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工设备，用于对晶圆进行加工，其特征在于，所述半导体加工设备包括：/n真空互锁腔室(100)；/n多个设备主体(200)，所述设备主体(200)包括传输平台(210)，在所述传输平台(210)的周向上排布有至少两个反应腔室(220)；/n暂存通道(300)，任意相邻的两个所述设备主体(200)通过所述暂存通道(300)相连通，所述暂存通道(300)用于暂存所述晶圆；其中：/n多个所述设备主体(200)中的一者与所述真空互锁腔室(100)相连，所述传输平台(210)可在所述真空互锁腔室(100)与所述反应腔室(220)之间、所述暂存通道(300)与所述真空互锁腔室(100)之间以及...

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备，用于对晶圆进行加工，其特征在于，所述半导体加工设备包括：
真空互锁腔室(100)；
多个设备主体(200)，所述设备主体(200)包括传输平台(210)，在所述传输平台(210)的周向上排布有至少两个反应腔室(220)；
暂存通道(300)，任意相邻的两个所述设备主体(200)通过所述暂存通道(300)相连通，所述暂存通道(300)用于暂存所述晶圆；其中：
多个所述设备主体(200)中的一者与所述真空互锁腔室(100)相连，所述传输平台(210)可在所述真空互锁腔室(100)与所述反应腔室(220)之间、所述暂存通道(300)与所述真空互锁腔室(100)之间以及所述暂存通道(300)与所述反应腔室(220)之间传送所述晶圆。


2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述真空互锁腔室(100)中设置有暂存台(110)，所述暂存台(110)用于暂存所述晶圆；
所述真空互锁腔室(100)的一侧与所述设备主体(200)相连，且两者的连接处设置有第一插板阀，所述真空互锁腔室(100)的另一侧与外部设备相连，且两者的连接处设置有第二插板阀。


3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述暂存台(110)的数量为多个。


4.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述传输平台(210)的形状...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏景峰，佘清，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11