退火设备的温度监控方法技术

本发明专利技术提供了一种退火设备的温度监控方法，包括：提供硅片，在所述硅片上形成不透光薄膜；对所述硅片进行退火，并在退火过程中实时测量所述硅片的温度，并利用测量的温度对退火温度进行闭环控制。本发明专利技术解决了现有技术中测温精度差和加热稳定性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
退火设备的温度监控方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种退火设备的温度监控方法。
技术介绍
快速热退火工艺是一种应用广泛的半导体加工工艺，其目的是将硅片在一定时间内置于所需温度与环境条件下，利用热能促使硅片内的原子进行晶格位置的重排，以降低晶格缺陷，激活掺杂元素。随着器件性能飞升，对工艺的要求也越来越高，要求快速热退火工艺较高地加热精度与重复性。现有的快速热退火工艺主要采用灯源对硅片集中加热，测温器在硅片底部进行热辐射测温的方式进行闭环控温。该方法获得硅片真实温度的前提条件是，灯源发出的光不能透过硅片，否则测温器会检测到来自灯源的干扰辐射，导致测温不准确，影响控温判断，进而影响最终退火效果的重复性与稳定性降低，产品品质下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种退火设备的温度监控方法，以解决现有技术中测温精度差和加热稳定性差的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种退火设备的温度监控方法，包括：提供硅片，在所述硅片上形成不透光薄膜；对所述硅片进行退火，并在退火过程中实时测量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种退火设备的温度监控方法，其特征在于，包括：/n提供硅片，在所述硅片上形成不透光薄膜；/n对所述硅片进行退火，并在退火过程中实时测量所述硅片的温度，并利用测量的温度对退火温度进行闭环控制。/n

【技术特征摘要】
1.一种退火设备的温度监控方法，其特征在于，包括：
提供硅片，在所述硅片上形成不透光薄膜；
对所述硅片进行退火，并在退火过程中实时测量所述硅片的温度，并利用测量的温度对退火温度进行闭环控制。


2.如权利要求1所述的退火设备的温度监控方法，所述不透光薄膜的材质为镍、铂、钛、钴、钽或钨中的一种或多种。


3.如权利要求1或2所述的退火设备的温度监控方法，其特征在于，所述不透光薄膜的厚度为


4.如权利要求1所述的退火设备的温度监控方法，其特征在于，对所述硅片进行退火之前，还在所述不透光薄膜上形成二氧化硅层。


5.如权利要求4所述的退火设备的温度监控方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为


6.如权利要求1所述的退火设备的温度监控方法，其特征在于，所述硅片的退火过程包括：预热过程、升温过程、主工艺退火过程和降温过程；所述退火设备包括控温系统，所述控温系统根据所述硅片的温度控制退火...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贇佳，袁立军，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31